[发明专利]一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202011459442.4 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112624633A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 章余华;张波;朱海勇;程晓瑜;任建林;熊平 申请(专利权)人: 安徽凤阳玻璃有限公司
主分类号: C03C27/12 分类号: C03C27/12;C03C17/36
代理公司: 安徽中辰臻远专利代理事务所(普通合伙) 34175 代理人: 刘朝琴
地址: 233100*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 离线 单银可钢化低 辐射 镀膜 玻璃 及其 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:包括第一玻璃基片和第二玻璃基片,在所述第一玻璃基片上从下至上依次溅射有第一氮化硅SiNx层、复合电介质层、金属银层、减反层、第二氮化硅SiNx层和保护层,在所述保护层热压第二玻璃基片;

所述复合电介质层采用下列材料ZnSnOx、Si3N4或TiOx中一种或多种,若为两种以上时,镀成多层复合层;

所述减反层采用下列材料SiO2、ZnOx、ZnAlOx、AZO中一种或多种,若为两种以上时,镀成多层复合层;

所述保护层采用下列材料NiCr或NiCrOx中一种或两种,若为两种时,镀成双层复合层。

2.根据权利要求1所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一氮化硅SiNx层溅射厚度为5-25nm,所述复合电介质层溅射厚度为30-100nm,所述金属银层溅射厚度为10-50nm,所述减反层溅射厚度为20-60nm,所述第二氮化硅SiNx层溅射厚度为5-15nm,所述保护层溅射厚度为25-50nm。

3.根据权利要求2所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述复合电介质层为单层时,溅射厚度为30-50nm,所述复合电介质层为多层时,每层溅射厚度在20-35nm。

4.根据权利要求2所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述减反层为单层时,溅射厚度为20-45nm,所述减反层为多层时,每层溅射厚度在10-25nm。

5.根据权利要求2所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述保护层为单层时,溅射厚度为25-35nm,所述保护层为多层时,每层溅射厚度在15-20nm。

6.一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃的制备工艺,其特征在于:具体工艺步骤如下:

S1:采用真空磁控溅射镀膜技术,在第一玻璃基片的表面逐层镀膜:依次溅射镀膜第一氮化硅SiNx层、复合电介质层、金属银层、减反层、第二氮化硅SiNx层和保护层;

S2:将溅射镀膜完成的玻璃放入热合机中,将第二玻璃基片盖在保护层上进行热压合,然后用封边胶封边;

其中,所述复合电介质层、减反层和保护层单层时均约为双层厚度的80%、为三层时的厚度60%;

所述复合电介质层采用下列材料ZnSnOx、Si3N4或TiOx中一种或多种,所述减反层采用下列材料SiO2、ZnOx、ZnAlOx、AZO中一种或多种,所述保护层采用下列材料NiCr或NiCrOx中一种或两种。

7.根据权利要求6所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃的制备工艺,其特征在于:真空磁控溅射镀膜机采用旋转双阴极,中频电源溅射的方式,在工艺气体N2与Ar的参与下,溅射沉积形成膜;其溅射功率为1-100KW,真空溅射的工艺气压为:2-3MPa。

8.根据权利要求7所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃及其制备工艺,其特征在于:所述第一氮化硅SiNx层和第二氮化硅SiNx层的溅射功率为60-100KW;所述复合电介质层的溅射功率为10-50KW,所述金属银层的溅射功率为1-10KW;所述减反层的溅射功率为35-70KW;所述保护层的溅射功率为1-50KW。

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