[发明专利]一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃及其制备工艺在审
申请号: | 202011459442.4 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112624633A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 章余华;张波;朱海勇;程晓瑜;任建林;熊平 | 申请(专利权)人: | 安徽凤阳玻璃有限公司 |
主分类号: | C03C27/12 | 分类号: | C03C27/12;C03C17/36 |
代理公司: | 安徽中辰臻远专利代理事务所(普通合伙) 34175 | 代理人: | 刘朝琴 |
地址: | 233100*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离线 单银可钢化低 辐射 镀膜 玻璃 及其 制备 工艺 | ||
1.一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:包括第一玻璃基片和第二玻璃基片,在所述第一玻璃基片上从下至上依次溅射有第一氮化硅SiNx层、复合电介质层、金属银层、减反层、第二氮化硅SiNx层和保护层,在所述保护层热压第二玻璃基片;
所述复合电介质层采用下列材料ZnSnOx、Si3N4或TiOx中一种或多种,若为两种以上时,镀成多层复合层;
所述减反层采用下列材料SiO2、ZnOx、ZnAlOx、AZO中一种或多种,若为两种以上时,镀成多层复合层;
所述保护层采用下列材料NiCr或NiCrOx中一种或两种,若为两种时,镀成双层复合层。
2.根据权利要求1所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述第一氮化硅SiNx层溅射厚度为5-25nm,所述复合电介质层溅射厚度为30-100nm,所述金属银层溅射厚度为10-50nm,所述减反层溅射厚度为20-60nm,所述第二氮化硅SiNx层溅射厚度为5-15nm,所述保护层溅射厚度为25-50nm。
3.根据权利要求2所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述复合电介质层为单层时,溅射厚度为30-50nm,所述复合电介质层为多层时,每层溅射厚度在20-35nm。
4.根据权利要求2所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述减反层为单层时,溅射厚度为20-45nm,所述减反层为多层时,每层溅射厚度在10-25nm。
5.根据权利要求2所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃,其特征在于:所述保护层为单层时,溅射厚度为25-35nm,所述保护层为多层时,每层溅射厚度在15-20nm。
6.一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃的制备工艺,其特征在于:具体工艺步骤如下:
S1:采用真空磁控溅射镀膜技术,在第一玻璃基片的表面逐层镀膜:依次溅射镀膜第一氮化硅SiNx层、复合电介质层、金属银层、减反层、第二氮化硅SiNx层和保护层;
S2:将溅射镀膜完成的玻璃放入热合机中,将第二玻璃基片盖在保护层上进行热压合,然后用封边胶封边;
其中,所述复合电介质层、减反层和保护层单层时均约为双层厚度的80%、为三层时的厚度60%;
所述复合电介质层采用下列材料ZnSnOx、Si3N4或TiOx中一种或多种,所述减反层采用下列材料SiO2、ZnOx、ZnAlOx、AZO中一种或多种,所述保护层采用下列材料NiCr或NiCrOx中一种或两种。
7.根据权利要求6所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃的制备工艺,其特征在于:真空磁控溅射镀膜机采用旋转双阴极,中频电源溅射的方式,在工艺气体N2与Ar的参与下,溅射沉积形成膜;其溅射功率为1-100KW,真空溅射的工艺气压为:2-3MPa。
8.根据权利要求7所述的一种离线单银可钢化低辐射镀膜玻璃及其制备工艺,其特征在于:所述第一氮化硅SiNx层和第二氮化硅SiNx层的溅射功率为60-100KW;所述复合电介质层的溅射功率为10-50KW,所述金属银层的溅射功率为1-10KW;所述减反层的溅射功率为35-70KW;所述保护层的溅射功率为1-50KW。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽凤阳玻璃有限公司,未经安徽凤阳玻璃有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011459442.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。