[发明专利]粘合片

说明书

本发明的课题在于提供有助于提高剥离后的表面的洁净性的粘合片。可提供一种粘合片，其包含构成粘合面的粘合剂层，利用下式算出的清洁度为20％以上。清洁度＝1‑(B/A)，此处，上述式中的B为将粘合片从SiN晶片进行水剥离后的该SiN晶片的表面的碳量B[原子％]。上述式中的A为贴附上述粘合片之前的上述SiN晶片的表面的碳量A[原子％]。

技术领域

本发明涉及粘合片。

背景技术

在半导体元件的制造过程中，对于对形成了电路的半导体晶片实施磨削、切割等加工的工序而言，为了实施上述半导体晶片的保护、固定，通常，在向该半导体晶片(被粘物)的电路形成面侧贴附了粘合片(半导体加工用粘合片)的状态下进行。例如，在对半导体晶片的背面进行磨削(背面研磨(backgrind))时，为了保护半导体晶片的电路形成面(正面)、以及保持(固定)半导体晶片，使用了背面研磨胶带(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-212441号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于如上述半导体加工用粘合片那样、可在制品的制造过程中以暂时地贴附于被粘物的方式使用的粘合片而言，在达到其使用目的之后，从被粘物剥离。此时，若粘合胶带剥离后的被粘物表面的洁净性低，则这有时会成为在下游的工艺中发生不良情况的重要原因，或者成为使最终制品(半导体元件等)的性能、品质稳定性下降的重要原因。因此，本发明的目的在于提供有助于提高剥离后的表面的洁净性的粘合片。

用于解决课题的手段

表面的洁净性的程度可以以该表面的碳量为指标来把握。根据本说明书，可提供一种粘合片，其包含构成粘合面的粘合剂层，利用下式算出的清洁度为20％以上。

清洁度＝1-(B/A)

此处，上述式中的B为将粘合片从氮化硅(SiN)晶片进行水剥离后的、该SiN晶片的表面的碳量B[原子％]。上述式中的A为贴附上述粘合片之前的、上述SiN晶片的表面的碳量A[原子％]。以下，有时将上述碳量A表示为“初始碳量A”，有时将上述碳量B表示为“水剥离后碳量B”。粘合片的清洁度为20％以上是指，通过将该粘合片从SiN晶片进行水剥离，从而该SiN晶片表面的碳量[原子％]从初始状态(贴附粘合片之前的状态)减少20％以上，SiN晶片表面的洁净性提高。呈现上述清洁度的粘合片可以以从SiN晶片及其他的各种被粘物进行水剥离的方式使用，能发挥提高该被粘物表面的洁净性的效果。

一些优选方式涉及的粘合片中，上述碳量B例如可以为10原子％以下。这样的粘合片可以以从各种被粘物进行水剥离的方式使用，能在剥离后的被粘物表面实现高洁净性。

一些优选方式涉及的粘合片的从上述SiN晶片剥离的水剥离力为1.5N/20mm以下。这样水剥离力低的粘合片能从被粘物容易地水剥离，并且，通过该水剥离，能提高被粘物表面的洁净性。

一些优选方式涉及的粘合片的从上述SiN晶片剥离的水剥离力[N/20mm]为从该SiN晶片剥离的常规剥离力[N/20mm]的40％以下。根据这样的粘合片，通过应用水剥离法，能大幅降低剥离力，并且，通过水剥离，能提高被粘物表面的洁净性。

一些方式中，上述粘合剂层中，作为水剥离添加剂，包含选自由表面活性剂及具有聚氧亚烷基骨架的化合物组成的组中的至少1种化合物A。通过使构成粘合面的粘合剂层含有上述化合物A，能提高水剥离性。

一些方式中，上述粘合剂层包含表面活性剂作为上述化合物A。通过使构成粘合面的粘合剂层包含表面活性剂作为上述化合物A，能提高水剥离性，并且，能理想地实现上述清洁度。