[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011459879.8 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112582366A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 霍炎;涂旭峰 | 申请（专利权）人： | 矽磐微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 武娜 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
待封装裸片，包括相对的正面与背面，所述待封装裸片的正面设置有焊垫；
第一绝缘层，位于所述待封装裸片的正面，所述第一绝缘层包括第一开口以暴露所述焊垫；
布线层，位于所述第一绝缘层远离所述待封装裸片的一侧，所述布线层通过所述第一开口与所述焊垫电连接；
限位结构，位于所述布线层远离所述待封装裸片的一侧，所述限位结构包括容纳空间；
锡球，位于所述限位结构的容纳空间中，并与所述布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述限位结构为环状结构，所述容纳空间暴露所述布线层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述限位结构的材料为金属。
4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述限位结构的材料为铜。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述限位结构的高度为50微米～150微米。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述限位结构为位于所述布线层上的盲孔，所述锡球位于所述盲孔中。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
第二绝缘层，与所述布线层位于同一层；
封装层，包裹住所述待封装裸片与所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层面向所述布线层的表面从所述封装层中露出。
8.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至7任一项所述的半导体封装结构，所述方法，包括：
在待封装裸片的正面形成第一绝缘层，所述待封装裸片的正面设置有焊垫，所述第一绝缘层包括第一开口以暴露所述焊垫；
在所述第一绝缘层远离所述待封装裸片的一侧形成布线层，所述布线层通过所述第一开口与所述焊垫电连接；
在所述布线层远离所述待封装裸片的一侧形成限位结构，所述限位结构包括容纳空间；
将锡球放置在所述限位结构的容纳空间中，并将所述锡球与所述布线层进行焊接，以使所述锡球与所述布线层电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述限位结构为环状结构，所述容纳空间暴露所述布线层；
所述在所述布线层远离所述待封装裸片的一侧形成限位结构，包括：
在所述布线层远离所述待封装裸片的一侧形成所述环状结构。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述限位结构为位于所述布线层上的盲孔，所述锡球位于所述盲孔中；
所述在所述布线层远离所述待封装裸片的一侧形成限位结构，包括：
采用打孔工艺在所述布线层远离所述待封装裸片的一侧制备所述盲孔。
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