[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

说明书

本申请提供一种半导体封装结构及其制备方法。本申请中，该半导体封装结构，包括待封装裸片、第一绝缘层、布线层、限位结构与锡球，待封装裸片包括相对的正面与背面；待封装裸片的正面设置有焊垫；第一绝缘层位于待封装裸片的正面，第一绝缘层包括第一开口以暴露焊垫；布线层位于第一绝缘层远离待封装裸片的一侧，布线层通过第一开口与焊垫电连接；限位结构位于布线层远离待封装裸片的一侧，限位结构包括容纳空间；锡球位于限位结构的容纳空间中，并与布线层电连接。本申请实施例提供的技术方案，可以防止植球时锡球的位置偏移，提高半导体封装结构的电学性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装结构及其制备方法。

背景技术

相关技术中，在封装过程中，植球类半导体封装结构的制作方法是做完导电凸柱(外引脚)后通过绝缘介质胶膜(ABF膜)压平，然后通过植球钢网一次性将锡球直接放置到导电凸柱中心，然后取下钢网，将半导体封装结构的锡球通过加热回流焊工艺固定。

上述的植球方式需要在通过钢网将锡球放置在对应的导电凸柱上后取下钢网，然后将半导体封装结构放在设备里加热，使锡球加热回焊吸附在导电凸柱上。在锡球加热融化回焊的过程中，锡球会因其流动性产生位置上的偏移，影响半导体封装结构的电学性能。

然而，如何防止锡球在回流焊过程中的位置偏移是有待解决的一个技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制备方法，可以防止植球时锡球的位置偏移，提高半导体封装结构的电学性能。

本申请实施例提供了一种半导体封装结构，包括：

待封装裸片，包括相对的正面与背面；所述待封装裸片的正面设置有焊垫；

第一绝缘层，位于所述待封装裸片的正面，所述第一绝缘层包括第一开口以暴露所述焊垫；

布线层，位于所述第一绝缘层远离所述待封装裸片的一侧，所述布线层通过所述第一开口与所述焊垫电连接；

限位结构，位于所述布线层远离所述待封装裸片的一侧，所述限位结构包括容纳空间；

锡球，位于所述限位结构的容纳空间中，并与所述布线层电连接。

在一个实施例中，所述限位结构为环状结构，所述容纳空间暴露所述布线层。

在一个实施例中，所述限位结构的材料为金属。

在一个实施例中，所述限位结构的材料为铜。

在一个实施例中，所述限位结构的高度为50微米～150微米。

在一个实施例中，所述限位结构为位于所述布线层上的盲孔，所述锡球位于所述盲孔中。

在一个实施例中，所述的半导体封装结构，还包括：

第二绝缘层，与所述布线层位于同一层；

封装层，包裹住所述待封装裸片与所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层面向所述布线层的表面从所述封装层中露出。

本申请部分实施例还提供了一种半导体封装的制备方法，用于制备上述的半导体封装结构，所述方法，包括：

在待封装裸片的正面形成第一绝缘层，所述待封装裸片的正面设置有焊垫，所述第一绝缘层包括第一开口以暴露所述焊垫；

在所述第一绝缘层远离所述待封装裸片的一侧形成布线层，所述布线层通过所述第一开口与所述焊垫电连接；

在所述布线层远离所述待封装裸片的一侧形成限位结构，所述限位结构包括容纳空间；

将锡球放置在所述限位结构的容纳空间中，并将所述锡球与所述布线层进行焊接，以使所述锡球与所述布线层电连接。