[发明专利]发光二极管及制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

S1、提供衬底；

S2、在所述衬底上制备发光二极管，所述发光二极管包括依序叠置在所述衬底上的外延结构、欧姆接触层和连接电极；

S3、形成绝缘层于所述连接电极远离所述衬底一侧的表面上，蚀刻绝缘层形成第一开口，所述连接电极自所述第一开口中暴露出；

S4、形成有机胶层于所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，所述有机胶层部分接触所述衬底的表面；

S5、形成吸光层于所述有机胶层远离所述衬底一侧的表面上；以及

S6、照射激光至所述衬底上，以使所述有机胶层与所述衬底分离，使得所述发光二极管从所述衬底上剥离；

其中，所述外延结构包括隔离槽，部分所述衬底自所述隔离槽中露出，所述有机胶接触自所述隔离槽中露出的部分所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述S2中还包括：

于所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依序叠置在所述衬底上的N型氮化镓层和P型氮化镓层；

蚀刻所述外延结构形成所述隔离槽，使得部分所述衬底自所述隔离槽中暴露出来；

蚀刻所述P型氮化镓层形成N型氮化镓接触表面；

于所述P型氮化镓层上形成欧姆接触层；以及

于所述欧姆接触层上形成所述连接电极的P型电极，于所述N型氮化镓接触面上形成所述连接电极的N型电极；

其中，所述P型电极远离所述衬底的顶面与所述N型电极远离所述衬底的顶面齐平。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述S3还包括：

所述绝缘层整面覆盖于所述衬底的一侧，蚀刻所述绝缘层形成多个所述第一开口，所述P型电极、所述N型电极以及所述衬底分别对应的第一开口中露出。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为无机绝缘层，无机绝缘层为选自二氧化硅绝缘层、氮化硅绝缘层或者三氧化二铝绝缘层。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述S4中还包括：

所述有机胶层整面覆盖于所述衬底的一侧；图案化所述有机胶层形成多个第二开口，所述P型电极和所述N型电极分别自对应的第二开口中露出。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述S5中还包括：

所述吸光层整面覆盖于所述衬底的一侧，图案化所述吸光层形成多个第三开口，所述P型电极、所述N型电极和位于所述隔离槽中的部分有机胶层分别自对应第三开口中露出。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述有机胶层为选自苯并环丁烯膜层或者聚酰亚胺膜层。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述S1中还包括：于所述衬底上形成牺牲层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述S6中还包括：

提供辅助基板；

键合所述辅助基板和所述衬底；

照射激光至所述衬底一侧，以使所述牺牲层热解以及所述有机胶层与所述衬底分离，进而所述发光二极管从所述衬底上剥离。

10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管为通过如权利要求1-9中任意一项所述的制作方法制得。