[发明专利]发光二极管及制作方法

说明书

本发明提供一种发光二极管及制作方法，所述制作方法包括：S1、提供衬底；S2、在所述衬底上制备发光二极管，所述发光二极管包括依序叠置在所述衬底上的外延结构、欧姆接触层和连接电极；S3、形成绝缘层于所述连接电极远离所述衬底一侧的表面上，蚀刻绝缘层形成第一开口，所述连接电极自所述第一开口中暴露出；S4、形成有机胶层于所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，所述有机胶层部分接触所述衬底的表面；S5、形成吸光层于所述有机胶层远离所述衬底一侧的表面上；以及S6、照射激光至所述衬底上，以使所述有机胶层与所述衬底分离，使得所述发光二极管从所述衬底上剥离。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，更具体地说，涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，主动发光的半导体微LED(Micro Light Emitting Diode，微LED)芯片作为微型显示技术发展迅速，微LED芯片显示技术应用的场景几乎涵盖了所有的显示领域，例如商显大屏、电视、手机、车载显示、AR和VR等。特别是作为应用在AR和VR等领域微型显示上的微LED芯片显示技术相比其他显示技术有着无可比拟的优势，例如高亮度和高像素密度超出了其他微型显示技术的理论极限。

现有的微LED芯片结构包括正装、倒装、垂直结构的薄膜型芯片。考虑到检测、巨量转移、修复的难易程度，目前，微LED芯片以倒装结构为主。

如图1和图2所示，倒装结构的微LED芯片形成在衬底1上，微LED芯片包括外延结构2、形成在外延结构2上的正电极3和负电极4，以及覆盖在外延结构2外侧的布拉格反射镜(DBR)5，布拉格反射镜(DBR)5例如为金属膜层，常见材料为金属银或者金属铝。其中，布拉格反射镜(DBR)5用于提高微LED芯片的正面出光效率和避免不同微LED芯片之间的光串扰。

目前，布拉格反射镜(DBR)5要做到一定的反射率(大于80％)需要2μm以上的厚度，由于微LED芯片尺寸较小，因此，在具有布拉格反射镜(DBR)5的微LED芯片制程普遍存在如下问题：1)布拉格反射镜(DBR)5厚度较厚不易制备；2)布拉格反射镜(DBR)5是采用电子束蒸发的方式蒸镀在外延结构2的外侧，在外延结构2的侧壁处膜层覆盖率差；3)布拉格反射镜(DBR)5与衬底1附着后也不易做激光剥离。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管及制作方法，用于克服现有的包括布拉格反射镜的发光二极管不易与衬底激光剥离的问题。

为解决上述问题，本发明技术方案首先提供了一种发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：S1、提供衬底；S2、在所述衬底上制备发光二极管，所述发光二极管包括依序叠置在所述衬底上的外延结构、欧姆接触层和连接电极；S3、形成绝缘层于所述连接电极远离所述衬底一侧的表面上，蚀刻绝缘层形成第一开口，所述连接电极自所述第一开口中暴露出；S4、形成有机胶层于所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，所述有机胶层部分接触所述衬底的表面；S5、形成吸光层于所述有机胶层远离所述衬底一侧的表面上；以及S6、照射激光至所述衬底上，以使所述有机胶层与所述衬底分离，使得所述发光二极管从所述衬底上剥离。

作为可选的技术方案，所述S2中还包括：于所述衬底上形成外延结构，所述外延结构包括依序叠置在所述衬底上的N型氮化镓层和P型氮化镓层；蚀刻所述外延结构形成隔离槽，所述衬底自所述隔离槽中暴露出来；蚀刻所述P型氮化镓层形成N型氮化镓接触表面；于所述P型氮化镓层上形成欧姆接触层；以及于所述欧姆接触层上形成所述连接电极的P型电极，于所述N型氮化镓接触面上形成所述连接电极的N型电极；其中，所述P型电极远离所述衬底的顶面与所述N型电极远离所述衬底的顶面齐平。

作为可选的技术方案，所述S3还包括：所述绝缘层整面覆盖于所述衬底的一侧，蚀刻所述绝缘层形成多个所述第一开口，所述P型电极、所述N型电极以及所述衬底分别对应的第一开口中露出。

作为可选的技术方案，所述绝缘层为无机绝缘层，无机绝缘层为选自二氧化硅绝缘层、氮化硅绝缘层或者三氧化二铝绝缘层。