[发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括制备芯片封装用基底和芯片封装，其中，所述芯片封装用基底的制备包括以下步骤：

提供玻璃材质的第二衬底，在所述第二衬底的一表面成型若干导电柱；

提供玻璃材质的第三衬底，在所述第三衬底的一表面成型第二种子层以及在所述第二种子层上成型重布线层，并在所述重布线层和所述第二种子层上开设贯穿所述重布线层和所述第二种子层的过孔；

将所述导电柱对准所述过孔嵌入至所述过孔内，并使所述第二衬底与所述第三衬底贴合连接，制得所述芯片封装用基底；

所述芯片封装包括以下步骤：

去除所述第二衬底和所述第三衬底中的其中一个，使所述导电柱的一端外露；

提供若干芯片组，将所述芯片组倒装于所述芯片封装用基底的导电柱外露的一侧并进行塑封；

去除所述第二衬底和所述第三衬底中的另一个，使所述导电柱的另一端外露，于所述导电柱外露的一端将所述芯片组电性引出。

2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，

提供一表面带有若干凹槽的玻璃材质的第一衬底，于所述第一衬底以及所述凹槽的表面制作第一种子层；

于所述第一种子层上制作阻挡层，在所述阻挡层上开设与所述凹槽的位置对应的孔位，并使所述第一种子层外露于所述孔位；

在所述孔位内制作所述导电柱；

提供所述第二衬底，将所述阻挡层贴于所述第二衬底上；

去除所述第一衬底和所述第一种子层，以使所述导电柱外露。

3.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述阻挡层为感光干膜，通过曝光显影形成所述孔位；

或者，所述阻挡层为介电材料，通过激光开孔形成所述孔位。

4.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，

提供所述第三衬底，于所述第三衬底上成型铜金属材质的所述第二种子层；

在所述第二种子层上制作感光干膜，并在所述感光干膜上开设图形化窗口，使残留的所述感光干膜至少覆盖与所述导电柱对应的所述第二种子层的位置；

于所述图形化窗口内制作所述重布线层；

去除残留的所述感光干膜和外露于所述重布线层的所述第二种子层以形成所述过孔。

5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，于所述导电柱和/或所述过孔表面沾附纳米金属粉末，并将所述导电柱对准所述过孔嵌入至所述过孔内，通过热压使所述第二衬底与所述第三衬底贴合连接；

或者，对带有所述导电柱的所述第二衬底和带有所述第二种子层和所述重布线层的所述第三衬底进行等离子体清洗，然后将所述导电柱对准所述过孔插入，再通过静电吸附使所述第二衬底和所述第三衬底贴合连接。

6.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于，所述凹槽为下凹的半球面形状或者下凹的锥形结构。

7.根据权利要求6所述的芯片封装方法，其特征在于，提供若干所述芯片组，将所述芯片组的I/O口沾上纳米金属粉末后倒装于去除所述第二衬底或所述第三衬底的芯片封装用基底上，并采用激光对所述芯片封装用基底远离所述芯片组的一表面进行烧结，使所述芯片组的I/O口与所述芯片封装用基底电连接，然后对所述芯片组进行塑封；或者，

提供若干所述芯片组，所述芯片组的I/O口与所述芯片组的表面平齐时，对所述芯片组和去除所述第二衬底或所述第三衬底的芯片封装用基底进行等离子体清洗，通过静电吸附使所述芯片组的I/O口与所述芯片封装用基底电连接，然后对所述芯片组进行塑封。

8.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，去除所述第二衬底，使所述导电柱外露；提供若干芯片组，将所述芯片组倒装并与所述导电柱电连接，对所述芯片组进行塑封；去除所述第三衬底并将所述芯片组电性引出；或者，

去除所述第三衬底，使所述第二种子层和所述导电柱外露；提供若干芯片组，将所述芯片组倒装并与所述第二种子层和/或所述导电柱电连接；对所述芯片组进行塑封；去除所述第二衬底并将所述芯片组电性引出。