[发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构

说明书

本发明公开芯片封装方法，包括制备芯片封装用基底和芯片封装，包括以下步骤：提供第二衬底，在其一表面成型若干导电柱；提供第三衬底，在其一表面成型第二种子层以及在第二种子层上成型重布线层，并在重布线层和第二种子层上开设贯穿重布线层和第二种子层的过孔；将导电柱对准过孔嵌入，并使第二衬底与第三衬底贴合连接，制得芯片封装用基底；去除第二衬底和第三衬底中的其中一个，使导电柱的一端外露；提供若干芯片组，将芯片组倒装于芯片封装用基底的导电柱外露的一侧并进行塑封；去除第二衬底和第三衬底中的另一个，使导电柱的另一端外露，于导电柱外露的一端将芯片组电性引出。本发明在封装过程中可以有效降低翘曲现象，提高了芯片封装效果。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构。

背景技术

随着电子产品小型化和集成化的潮流，微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了顺应新一代电子产品的发展，尤其是手机、笔记本、智能穿戴设备等产品的发展，芯片向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。

在封装过程中，由于塑胶、硅及金属等材料的热膨胀系数的差别，导致这几种材料的体积变化不同步，从而产生应力并导致翘曲。其中，芯片与注塑材料热膨胀系数的差别使注塑材料冷却过程中产生的应力是封装技术中翘曲产生的最主要原因。

此外，在芯片扇出型封装过程中，通常需要对包覆的倒装芯片的塑封层钻孔处理在电镀制作导电柱，从而实现将倒转芯片电性引出。在开孔过程中，开孔的深度不易控制，容易损伤芯片或者击穿其他导电线路，影响芯片封装结构的良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片封装方法及芯片封装结构，可以降低翘曲，有效提高芯片封装良率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种芯片封装方法，包括制备芯片封装用基底和芯片封装，其中，所述芯片封装用基底的制备包括以下步骤：

提供第二衬底，在所述第二衬底的一表面成型若干导电柱；

提供第三衬底，在所述第三衬底的一表面成型第二种子层以及在所述第二种子层上成型重布线层，并在所述重布线层和所述第二种子层上开设贯穿所述重布线层和所述第二种子层的过孔；

将所述导电柱对准所述过孔嵌入至所述过孔内，并使所述第二衬底与所述第三衬底贴合连接，制得所述芯片封装用基底；

所述芯片封装包括以下步骤：

去除所述第二衬底和所述第三衬底中的其中一个，使所述导电柱的一端外露；

提供若干芯片组，将所述芯片组倒装于所述芯片封装用基底的导电柱外露的一侧并进行塑封；

去除所述第二衬底和所述第三衬底中的另一个，使所述导电柱的另一端外露，于所述导电柱外露的一端将所述芯片组电性引出。

本发明直接在第二衬底上成型导电柱，以及在第三衬底上的重布线层和第二种子层上开设与该导电柱可插接配合的过孔，通过将该导电柱嵌入至过孔内以制得芯片封装用基底，然后使芯片封装用基底的线路(包括重布线层、第二种子层和导电柱)的两侧依次外露，在线路的一侧封装倒装的芯片组，另一侧电性引出，从而实现芯片的扇出型封装，封装过程中可以有效降低翘曲现象，提高了芯片封装效果。

作为芯片封装方法的一种优选方案，提供一表面带有若干凹槽的第一衬底，于所述第一衬底以及所述凹槽的表面制作第一种子层；

于所述第一种子层上制作阻挡层，在所述阻挡层上开设与所述凹槽的位置对应的孔位，并使所述第一种子层外露于所述孔位；

在所述孔位内制作所述导电柱；

提供所述第二衬底，将所述阻挡层贴于所述第二衬底上；