[发明专利]一种宽带跨导增强型低噪声放大器

权利要求书

1.一种宽带跨导增强型低噪声放大器，包括依次连接的输入变压器、第一级差分放大器、第一级间变压器、第二级差分放大器、第二级间变压器、第三级中和电容放大器及输出变压器；其中，所述输入变压器采用单转差巴伦；所述第一级差分放大器与第二级差分放大器结构相同，均由两路g_m-boost结构构成，每一路g_m-boost结构由晶体管、以及分别连接于晶体管的栅极和源极的第一耦合电感和第二耦合电感构成，晶体管的栅极作为差分放大器的输入端、且经过第一耦合电感后连接偏置电压V_bias，晶体管的漏极作为差分放大器的输出端、且连接电源电压V_DD。

2.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述第一级差分放大器的具体结构为：一路g_m-boost结构由晶体管M1、以及分别连接于晶体管M1的栅极和源极的耦合电感L1和L2构成，另一路g_m-boost结构由晶体管M2、以及分别连接于晶体管M2的栅极和源极的耦合电感L3和L4构成，晶体管M1与晶体管M2的栅极作为第一级差分放大器的输入端、分别经过耦合电感L1与耦合电感L3后连接于单转差巴伦的次级线圈两端、且单转差巴伦的次级线圈中心抽头接偏置电压V_bias，晶体管M1与晶体管M2的漏极作为第一级差分放大器的输出端、分别连接于第一级间变压器的初级线圈两端、且第一级间变压器的初级线圈中心抽头接电源电压V_DD。

3.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述第二级差分放大器的具体结构为：一路g_m-boost结构由晶体管M3、以及分别连接于晶体管M3的栅极和源极的耦合电感L5和L6构成，另一路g_m-boost结构由晶体管M4、以及分别连接于晶体管M4的栅极和源极的耦合电感L7和L8构成，晶体管M3与晶体管M4的栅极作为第二级差分放大器的输入端、分别经过耦合电感L5与耦合电感L7后连接于第一级间变压器的次级线圈两端、且第一级间变压器的次级线圈中心抽头接偏置电压V_bias，晶体管M3与晶体管M4的漏极作为第二级差分放大器的输出端、分别连接于第二级间变压器的初级线圈两端、且第二级间变压器的初级线圈中心抽头接电源电压V_DD。

4.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述第三级中和电容放大器由晶体管M5、晶体管M6、电感L9、电感L10、电容C1及电容C2构成，电感L9与电感L10分别连接于晶体管M5与晶体管M6的源极，电容C1连接于晶体管M5的漏极与晶体管M6的栅极之间，电容C2连接于晶体管M5的栅极与晶体管M6的漏极之间，晶体管M5与晶体管M6的栅极作为第三级中和电容放大器的输入端、且连接偏置电压V_bias，晶体管M5与晶体管M6的漏极作为第三级中和电容放大器的输出端、且连接电源电压V_DD。

5.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述输入变压器与第一级级间变压器均采用最佳噪声匹配，所述第二级级间变压器与输出变压器均采用共轭匹配。

6.按权利要求1所述宽带跨导增强型低噪声放大器，其特征在于，所述第一级差分放大器、第二级差分放大器的增益中心频率小于低噪声放大器的中心频率，并位于工作频段的低频边带；所述第三级中和电容放大器的增益中心频率大于低噪声放大器的中心频率，并位于工作频段的高频边带。