[发明专利]一种IPD吸收式带通滤波器

说明书

本发明涉及一种IPD吸收式带通滤波器，属于滤波器技术领域。包括基体层和基体层下表面的背金层，基体层上生长有第一氮化硅层，第一氮化硅层上溅射有薄膜电阻层，第一氮化硅层上形成有第一金属层，第一金属层上生长有第二氮化硅层，第二氯化硅层上生长有聚酰亚胺层，聚酰亚胺层上形成有第二金属层，第二金属层上生长有第三氮化硅层，第一金属层和第二金属层上形成滤波器电路结构，滤波器电路结构包括串联在输入端口和输出端口之间的第一带通信号处理单元、第二式带通信号处理单元和LC并联谐振电路，本发明采用IPD‑GaAs工艺，通过光刻、溅射、电镀、刻蚀等工序，在GaAs基体上制作吸收式滤波器电路结构，具有高阻带抑制的效果。

技术领域

本发明涉及一种IPD吸收式带通滤波器，属于滤波器技术领域。

背景技术

随着通信技术的高速发展，通信系统对高性能、小型化的无源部件要求越来越高，带通滤波器作为通信装置的重要电子部件之一，带通滤波器的性能直接影响通信系统的性能。传统的带通滤波器中的阻带“衰减”信号会被反射到信号源，然而这些反射信号可能会对整个RF系统产生不利的影响。例如，混频器对其端口上的带外终端都极为敏感，然而滤波器又是混频器的前端和后端经常出现的器件。滤波器衰减的互调产物被反射回混频器可能产生不需要的谐波，这些谐波会造成系统不稳定。

针对传统的滤波器的缺陷，一些吸收式的滤波器应运而生。例如，在低通原型滤波器和与其互补的高通滤波器并联构成互补双工器来吸收阻带信号，但这样会使空间需求很大，而且造成阻抗的不匹配。在两个微带3dB定向耦合器之间添加两个传统的微带梳状线带通滤波器虽然也可以吸收阻带信号，但是电桥的宽度限制了滤波器的带宽。在输入输出端接两个等相功率分配器，然后在两个功率分配器之间的上通路和下通路分别连接串联形式的+45度高通移相器、传统带通滤波器、-45度低通移相器，这样实现在输入端输入信号和反射信号相位抵消的功能，虽然达到吸收反射信号的效果，但是需要用大量的电路元件，这样对于现在小型化的需求来说，集总电路的布局和元件相互影响上对其造成了阻碍。

发明内容

本发明的目的在于克服现有低通滤波器存在的上述缺陷，提供了一种IPD吸收式带通滤波器，采用IPD-GaAs工艺，通过光刻、溅射、电镀、刻蚀等工序，在GaAs基体上制作吸收式滤波器电路结构，具有高阻带抑制的效果。

本发明是采用以下的技术方案实现的：

一种IPD吸收式带通滤波器，包括基体层和基体层下表面的背金层，基体层上生长有第一氮化硅层，第一氮化硅层上溅射有薄膜电阻层，第一氮化硅层上形成有第一金属层，第一金属层上生长有第二氮化硅层，第二氯化硅层上生长有聚酰亚胺层，聚酰亚胺层上形成有第二金属层，第二金属层上生长有第三氮化硅层，第一金属层和第二金属层上形成滤波器电路结构。

进一步地，滤波器电路结构包括串联在输入端口和输出端口之间的第一带通信号处理单元和第二式带通信号处理单元，第一带通信号处理单元和第二式带通信号处理单元之间设有与接地端口连接的LC并联谐振电路。

进一步地，第一带通信号处理单元和第二式带通信号处理单元均包括相互并联的带通信号通路和通带外吸收支路。

进一步地，带通信号通路为LC串联谐振电路，通带外吸收支路为LC并联谐振电路与吸收电阻的串联电路。

进一步地，滤波器电路结构中的电感为平面螺旋电感，形状为圆形电感、正方形电感、长方形电感或多边形电感。

进一步地，滤波器电路结构中的电容为MIM电容。

进一步地，吸收电阻为氮化坦薄膜电阻。

进一步地，接地端口设有4个，两个与输入端口形成GSG共面端口，两个与输出端口形成GSG共面端口。

进一步地，接地端口通过晶背穿孔工艺形成连接通孔与背金层连接。

本发明的有益效果是：