[发明专利]一种改进型光学薄膜应力及其制备方式

说明书

本发明涉及一种改进型光学薄膜应力及其制备方式，所述该改进型光学薄膜应力及其制备方式是将薄膜基片放入真空镀膜机室内在290℃温度下烘烤100min，且薄膜基片上的膜厚度在蒸镀制至5000纳米厚时暂停蒸镀20分钟，然后再蒸镀至5000纳米厚度时暂停蒸镀20分钟，直至膜蒸镀结束。本发明方案的优点在于将薄膜基片高温烘烤消除应力，大大提高与镀膜之间的牢固性，同时分层厚度镀膜方式有效消除镀膜内的应力，大大减少光学薄膜的应力，提高产品质量等，从而有效解决了对现有技术中提出的问题和不足。

技术领域

本发明涉及光学薄膜技术领域，尤其涉及一种改进型光学薄膜应力及其制备方式。

背景技术

在光学薄膜的镀制过程中由于晶格失配，热膨胀系数失配，薄膜在沉积过程中分子之间的相互作用以及薄膜内部存在着各种宏观缺陷，从而使薄膜基板系统中存在着应力，随着膜层厚度的增加其内应力达到一定程度就会导致膜裂，之后导致脱膜现象。因此如何改善光学薄膜应力使目前研究的重中之重。

发明内容

本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种改进型光学薄膜应力及其制备方式。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种改进型光学薄膜应力及其制备方式，所述该改进型光学薄膜应力及其制备方式是将薄膜基片放入真空镀膜机室内在290℃温度下烘烤100min，且薄膜基片上的膜厚度在蒸镀制至5000纳米厚时暂停蒸镀20分钟，然后再蒸镀至5000纳米厚度时暂停蒸镀20分钟，直至膜蒸镀结束。

为了进一步的对该方案进行优化，本发明改进型光学薄膜应力及其制备方式所述薄膜基片采用SiO2或ZrO两种特定膜料的其中一种，在真空镀膜机中通过290℃高温烘烤使基片内部应力进行释放，消除基片对薄膜产生的应力。

为了进一步的对该方案进行优化，本发明改进型光学薄膜应力及其制备方式所述薄膜基片上的膜厚度至少为10000纳米以上，且每蒸镀至5000纳米厚度时，暂停蒸镀20分钟沉积薄膜，使薄膜越来越致密，消除薄膜应力。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：

本发明方案的优点在于将薄膜基片高温烘烤消除应力，大大提高与镀膜之间的牢固性，同时分层厚度镀膜方式有效消除镀膜内的应力，大大减少光学薄膜的应力，提高产品质量等，从而有效解决了对上述背景技术一项中提出的问题和不足。

具体实施方式

本发明提供一种改进型光学薄膜应力及其制备方式的具体实施方案：

一种改进型光学薄膜应力及其制备方式，所述该改进型光学薄膜应力及其制备方式是将薄膜基片放入真空镀膜机室内在290℃温度下烘烤100min，且薄膜基片上的膜厚度在蒸镀制至5000纳米厚时暂停蒸镀20分钟，然后再蒸镀至5000纳米厚度时暂停蒸镀20分钟，直至膜蒸镀结束。

具体的，薄膜基片采用SiO2或ZrO两种特定膜料的其中一种，在真空镀膜机中通过290℃高温烘烤使基片内部应力进行释放，消除基片对薄膜产生的应力。

具体的，薄膜基片上的膜厚度至少为10000纳米以上，且每蒸镀至5000纳米厚度时，暂停蒸镀20分钟沉积薄膜，使薄膜越来越致密，消除薄膜应力。

以上仅是本发明的具体应用范例，对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。