[发明专利]直下式背光装置有效

专利信息
申请号: 202011465708.6 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112578598B 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 林荣松;徐正彬;黄达人 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: G02F1/13357 分类号: G02F1/13357
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 代理人: 杨冬梅;张行知
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 直下式 背光 装置
【权利要求书】:

1.一种直下式背光装置,其特征在于,包括:

印刷电路板;

光反射器,设置于所述印刷电路板上;及

复数个次毫米发光二极体晶片,设置于所述印刷电路板上;

其中,至少部分相邻的所述次毫米发光二极体晶片之间设置有所述光反射器;

其中,每一所述次毫米发光二极体晶片包括非发光层与设置于所述非发光层上的发光层;

其中,每一所述次毫米发光二极体晶片的所述发光层的底面高于所述光反射器的顶面;所述光反射器具有厚度Tr,其中所述光反射器的所述厚度Tr具有公差Ae,其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述发光层的所述底面至所述光反射器的所述顶面的距离为Hd,其中Hd≧(Tr*Ae);

其中,所述印刷电路板具有复数个凸块结构,其中所述次毫米发光二极体晶片分别设置于所述凸块结构上;所述印刷电路板更具有复数个接合垫设置于所述凸块结构上,其中所述次毫米发光二极体晶片设置于所述接合垫上;其中每一所述凸块结构具有厚度Hb,其中每一所述接合垫具有厚度Cu,其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To,其中Hb=Tr-Cu-(To-Tr*Ae);其中每一所述凸块结构具有厚度Hb,其中每一所述接合垫具有厚度Cu,其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To,其中Hb=Tr-Cu-(To-Tr*Ae)。

2.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中所述次毫米发光二极体晶片之其中一者的至少二个接触垫设置于所述次毫米发光二极体晶片之其中该者所对应的所述凸块结构之其中一者的垂直投影范围内。

3.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中所述印刷电路板更具有防焊漆层,共形地形成于所述印刷电路板的上表面上与每一所述凸块结构的侧表面上。

4.如权利要求3所述之直下式背光装置,其特征在于,其中所述光反射器设置于所述防焊漆层上,且所述防焊漆层部分地包覆所述光反射器。

5.如权利要求3所述之直下式背光装置,其特征在于,其中每一所述凸块结构具有厚度Hb,其中每一所述接合垫具有厚度Cu,其中每一所述次毫米发光二极体晶片的所述非发光层具有厚度To,其中所述防焊漆层具有厚度T,其中Hb=Tr-Cu-(To-Tr*Ae)+T。

6.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中每一所述接合垫包括金属层与设置于所述金属层上的表面镀层。

7.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中所述印刷电路板包括:

防焊印刷层;

基板层,设置于所述防焊印刷层上;及

金属层,设置于所述基板层上。

8.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中每一所述次毫米发光二极体晶片具有两个接触垫,其中所述接触垫一对二地电性连接所述接合垫。

9.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中每一所述次毫米发光二极体晶片具有四个接触垫,其中所述接触垫一对一地电性连接所述接合垫。

10.如权利要求1所述之直下式背光装置,其特征在于,其中所述光反射器的厚度越厚,则所述直下式背光装置的发光效率越高。

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