[发明专利]一种可动态调整的晶圆清洗装置

说明书

本发明公开了一种可动态调整的晶圆清洗装置，包括：晶圆旋转组件，用于支撑晶圆并驱动晶圆旋转；两个清洗刷，设置于晶圆的两侧并绕自身轴线滚动以对晶圆表面进行刷洗；清洗刷支撑组件，用于支撑位于待清洗晶圆两侧的两个清洗刷；清洗刷移动组件，其与清洗刷支撑组件连接，以驱动清洗刷支撑组件及其上的清洗刷整体移动；清洗刷旋转组件，设置有用于驱动清洗刷转动的驱动电机；控制器，用于在清洗刷从起始位移动至与晶圆接触进行刷洗的过程中，获取所述驱动电机的负载扭矩；并根据所述负载扭矩控制所述清洗刷移动组件调整清洗刷的移动夹持行程以使刷洗时的摩擦力保持稳定。

技术领域

本发明属于化学机械抛光后清洗技术领域，尤其涉及一种可动态调整的晶圆清洗装置。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会在抛光完成后在晶圆表面残留大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物，这些污染物会对后续工艺产生不良影响，并可能导致晶圆良率损失。由于晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一，为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。

晶圆清洗方式有辊刷清洗、兆声清洗等，其中，辊刷清洗应用较为广泛。其一方面利用机械作用使晶圆表面的污染物脱离并进入清洗液中，另一方面利用清洗液与晶圆表面的污染物发生化学反应使其溶解到清洗液中，从而实现从晶圆表面去除污染物。专利CN102768974B公开了一种晶圆清洗设备。所述晶圆清洗设备包括：机架；晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置设在所述机架上；晶圆刷洗装置，所述晶圆刷洗装置设在所述机架上且位于所述晶圆清洗装置的下游侧；晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置设在所述机架上且位于所述晶圆刷洗装置的下游侧；和机械手，所述机械手可移动地设在所述机架上用于竖直地夹持晶圆和搬运晶圆。

然而，现有技术中在实际运行时，左右两个清洗刷按照设定间距夹持晶圆进行清洗，间距零点设置在清洗刷与晶圆刚好接触的位置，由于机械结构运行精度等原因，间距零点不是稳定值。因此造成，按设定间距夹持晶圆清洗，存在晶圆加紧程度不稳定，清洗刷与晶圆间的摩擦力不稳定情况，并且，由于清洗刷磨损、晶圆厚度变化等问题，也会造成清洗刷与晶圆间摩擦力存在变化，最终导致晶圆清洗效果不稳定。

发明内容

本发明实施例提供了一种可动态调整的晶圆清洗装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例提供了一种可动态调整的晶圆清洗装置，包括：

晶圆旋转组件，用于支撑晶圆并驱动晶圆旋转；

两个清洗刷，设置于晶圆的两侧并绕自身轴线滚动以对晶圆表面进行刷洗；

清洗刷支撑组件，用于支撑位于待清洗晶圆两侧的两个清洗刷；

清洗刷移动组件，其与清洗刷支撑组件连接，以驱动清洗刷支撑组件及其上的清洗刷整体移动；

清洗刷旋转组件，设置有用于驱动清洗刷转动的驱动电机；

控制器，用于在清洗刷从起始位移动至与晶圆接触进行刷洗的过程中，获取所述驱动电机的负载扭矩；并根据所述负载扭矩控制所述清洗刷移动组件调整清洗刷的移动夹持行程以使刷洗时的摩擦力保持稳定。

在一个实施例中，所述控制器包括：

第一计算模块，用于计算所述负载扭矩与扭矩设定值之间的差值ΔT；

第二计算模块，用于利用所述差值ΔT与清洗刷的应变σ、清洗刷的弹性模量E、刷洗的摩擦系数f和所述移动夹持行程S之间的函数关系，计算所述移动夹持行程S。