[发明专利]存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置

权利要求书

1.一种半导体机台的控制方法，其特征在于，包括：

在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；

在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；

“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻位于所述第一开始时刻和所述第一结束时刻之间。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；

“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻和所述第一结束时刻重合；或者，所述第二开始时刻和所述第一结束时刻之间具有时间差。

4.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一腔室对第一数量N1的所述第一半导体器件进行工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对第二数量N2的所述第二半导体器件进行工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的时间均为T2；所述控制方法满足条件式：N1≥N2+T2/T1。

5.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行第三时间段T3的工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对所述第二半导体器件进行第四时间段T4的工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：T3≥T4+T2。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺为在所述第一半导体器件上形成薄膜，所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺为在所述第二半导体器件上形成薄膜；在所述第一半导体器件上形成薄膜的过程中，所述第一腔室的腔壁上形成薄膜，在所述第二半导体器件上形成薄膜的过程中，所述第二腔室的腔壁上形成薄膜；在所述第一腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第一厚度H1时，所述第一腔室进行清洁；在所述第二腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第二厚度H2时，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，每个所述第一半导体器件和每个所述第二半导体器件上形成的薄膜厚度均为H0，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：H1≥H2+(T2/T1)*H0。

7.一种半导体机台的控制装置，其特征在于，包括：感应单元与控制单元；

所述感应单元用于在感应到第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，将第一感应信号传递给所述控制单元，所述控制单元控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；

所述感应单元还用于在感应到第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，将第二感应信号传递给所述控制单元，所述控制单元控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。