[发明专利]存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置在审
申请号: | 202011469136.9 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112582306A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 吕术亮;杭雨薇;李远 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 介质 半导体 机台 控制 方法 装置 | ||
1.一种半导体机台的控制方法,其特征在于,包括:
在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后,控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁;
在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后,控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁,其中,所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同,所述第一时间段和所述第二时间段相邻,且所述第一时间段和所述第二时间段错开。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻,所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻;
“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括:所述第二开始时刻位于所述第一开始时刻和所述第一结束时刻之间。
3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻,所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻;
“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括:所述第二开始时刻和所述第一结束时刻重合;或者,所述第二开始时刻和所述第一结束时刻之间具有时间差。
4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述第一腔室对第一数量N1的所述第一半导体器件进行工艺处理后,所述第一腔室进行清洁;所述第二腔室对第二数量N2的所述第二半导体器件进行工艺处理后,所述第二腔室进行清洁;每个所述第一半导体器件进行工艺处理的时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的时间均为T1,所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的时间均为T2;所述控制方法满足条件式:N1≥N2+T2/T1。
5.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述第一腔室对所述第一半导体器件进行第三时间段T3的工艺处理后,所述第一腔室进行清洁;所述第二腔室对所述第二半导体器件进行第四时间段T4的工艺处理后,所述第二腔室进行清洁;每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1,所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2;所述控制方法满足条件式:T3≥T4+T2。
6.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺为在所述第一半导体器件上形成薄膜,所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺为在所述第二半导体器件上形成薄膜;在所述第一半导体器件上形成薄膜的过程中,所述第一腔室的腔壁上形成薄膜,在所述第二半导体器件上形成薄膜的过程中,所述第二腔室的腔壁上形成薄膜;在所述第一腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第一厚度H1时,所述第一腔室进行清洁;在所述第二腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第二厚度H2时,所述第二腔室进行清洁;每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1,每个所述第一半导体器件和每个所述第二半导体器件上形成的薄膜厚度均为H0,所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2;所述控制方法满足条件式:H1≥H2+(T2/T1)*H0。
7.一种半导体机台的控制装置,其特征在于,包括:感应单元与控制单元;
所述感应单元用于在感应到第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后,将第一感应信号传递给所述控制单元,所述控制单元控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁;
所述感应单元还用于在感应到第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后,将第二感应信号传递给所述控制单元,所述控制单元控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁,其中,所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同,所述第一时间段和所述第二时间段相邻,且所述第一时间段和所述第二时间段错开。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011469136.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带有自调节饰条的车窗总成
- 下一篇:一种瓦楞纸箱生产线及其生产方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造