[发明专利]存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置

说明书

本发明提供一种存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置。半导体机台的控制方法包括：在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。本发明解决了半导体器件的生产效率较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置。

背景技术

现有半导体机台的腔室在对半导体器件进行工艺处理之后，均需要进行清洁。在半导体器件量产的过程中，若是对腔室进行清洁，会导致后续的半导体器件停留在前一个工艺的腔室，无法进行后续的工艺处理，这会影响半导体器件的生产效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储介质、半导体机台的控制方法及控制装置，以解决半导体器件的生产效率较低的技术问题。

本发明提供一种半导体机台的控制方法，包括：在第一腔室对第一半导体器件进行工艺处理之后，控制在第一时间段内对所述第一腔室进行清洁；在第二腔室对第二半导体器件进行工艺处理之后，控制在第二时间段内对所述第二腔室进行清洁，其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺和所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺相同，所述第一时间段和所述第二时间段相邻，且所述第一时间段和所述第二时间段错开。

其中，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻位于所述第一开始时刻和所述第一结束时刻之间。

其中，所述第一时间段包括第一开始时刻和第一结束时刻，所述第二时间段包括第二开始时刻和第二结束时刻；“所述第一时间段和所述第二时间段错开”包括：所述第二开始时刻和所述第一结束时刻重合；或者，所述第二开始时刻和所述第一结束时刻之间具有时间差。

其中，所述第一腔室对第一数量N1的所述第一半导体器件进行工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对第二数量N2的所述第二半导体器件进行工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的时间均为T2；所述控制方法满足条件式：N1≥N2+T2/T1。

其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行第三时间段T3的工艺处理后，所述第一腔室进行清洁；所述第二腔室对所述第二半导体器件进行第四时间段T4的工艺处理后，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：T3≥T4+T2。

其中，所述第一腔室对所述第一半导体器件进行的处理工艺为在所述第一半导体器件上形成薄膜，所述第二腔室对所述第二半导体器件进行的处理工艺为在所述第二半导体器件上形成薄膜；在所述第一半导体器件上形成薄膜的过程中，所述第一腔室的腔壁上形成薄膜，在所述第二半导体器件上形成薄膜的过程中，所述第二腔室的腔壁上形成薄膜；在所述第一腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第一厚度H1时，所述第一腔室进行清洁；在所述第二腔室的腔壁上的薄膜厚度达到第二厚度H2时，所述第二腔室进行清洁；每个所述第一半导体器件进行工艺处理的工艺时间和每个所述第二半导体器件进行工艺处理的工艺时间均为T1，每个所述第一半导体器件和每个所述第二半导体器件上形成的薄膜厚度均为H0，所述第一腔室和所述第二腔室进行清洁的清洁时间均为T2；所述控制方法满足条件式：H1≥H2+(T2/T1)*H0。