[发明专利]一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法在审

专利信息
申请号: 202011469679.0 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112559071A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 杨健;阮忠园;张晓峰;蒋凯;计旭;贠磊磊 申请(专利权)人: 上海航天控制技术研究所
主分类号: G06F9/445 分类号: G06F9/445
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 圣冬冬
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 dsp 分段 冗余 引导 加载 方法
【权利要求书】:

1.一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,包括以下步骤:

首先,将应用程序按程序代码大小分成多个段;

其次,将各段的运行地址、长度、CRC校验及各段代码冗余地固化于FLASH中;

再次,上电后根据各段的起始地址及长度将各段代码搬运至SRAM中,并计算搬运后SRAM内各段的校验CRC校验是否正确;

若校验一致,则继续搬运代码;若不正确则将该段代码从FLASH的冗余区重新搬到SRAM内;

最后直至SRAM且校验均正确后,启动运行应用程序。

2.根据权利要求1所述的一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,所述步骤具体包括:

步骤1:将应用程序代码按大小分为多个程序段,并计算每个段的CRC32校验值;

步骤2:将应用程序各段代码在SRAM内的运行地址、代码长度及CRC32校验值烧写至FLASH存储器中;

步骤3:将应用程序各段代码代码依次烧写至FLASH存储器A1~AN区域中,同时烧写至冗余区域B1~BN中;

步骤4:上电后,根据存储在FLASH存储器中的应用程序第1段代码的运行地址及长度将FLASH存储器中第1段代码A1区域数据搬运至SRAM的第1段代码区;

步骤5:计算搬运后SRAM中第1段代码区的CRC32校验值,并比较计算得到的校验值与存储在FLASH内第1段代码的校验值是否一致;

步骤6:若校验一致,则继续搬运第2段代码;

步骤7:若校验不一致,则将FLASH存储器中第1段代码冗余A2区域数据搬运至SRAM的第1段代码区,计算搬运后SRAM中第1段代码区的CRC32校验值,并比较计算得到的校验值与存储在FLASH内第1段代码的校验值是否一致;

步骤8:若校验一致,则继续搬运第2段代码;

步骤9:若校验不一致,则将错误代码及错误地址发送至上位机,同时终止运行;

步骤10:按照上述方法将应用程序各段的代码均搬运至SRAM且校验均正确后,启动运行应用程序。

3.根据权利要求2所述的一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,所述FLASH采用SM29LV320,DSP使用TMS320C6713。

4.根据权利要求3所述的一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,所述SRAM存储器为TMS320C6713芯片内部SRAM。

5.根据权利要求4所述的一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,所述应用程序代码大小为0x38000字节,将应用程序分为4个代码段,将各段的大小、起始运行地址及CRC32校验写入FLASH存储器,并将各段代码分别冗余地写入FLASH,为模拟FLASH异常翻转,将第3段代码A3中某一位由1写成0。

6.根据权利要求5所述的一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,上电后,引导加载程序将FLASH中的第1段代码A1搬运值SRAM中,并计算RAM内第1段代码区的CRC校验值,将计算的校验与存储在FLASH内的第1段校验进行对比,两校验一致,继续搬运第2段代码B1。

7.根据权利要求6所述的一种用于DSP的分段双冗余引导加载方法,其特征在于,校验通过后继续搬运第3段代码A3,计算的RAM内第3段代码区的CRC校验值与存储在FLASH内的第3段校验值不一致,将FLASH中的第3段代码冗余区B3搬运至SRAM中第3段代码区,并重新计算校验,与存储在FLASH内的第3段校验值一致后继续将第4段代码搬运至SRAM,并启动运行应用程序。

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