[发明专利]IC封装中的平面内电感器

权利要求书

1.一种集成电路(IC)封装衬底，包括：

磁性材料，所述磁性材料嵌入在电介质材料内，其中，所述电介质材料的第一层在所述磁性材料下方；以及

金属化层，所述金属化层包括嵌入在所述磁性材料内的第一金属特征、以及在所述磁性材料和所述电介质材料的界面处的第二金属特征，所述第二金属特征具有与所述电介质材料的第二层接触的第一侧壁和与所述磁性材料接触的第二侧壁。

2.根据权利要求1所述的IC封装衬底，其中，所述第二金属特征完全包围所述第一金属特征，并且沿着所述磁性材料的周边延伸。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的IC封装衬底，其中，所述金属化层包括多层材料堆叠体，所述多层材料堆叠体包括在第二金属上的第一金属，所述第二金属具有比所述第一金属高的磁导率。

4.根据权利要求1-2中的任一项所述的IC封装衬底，其中，所述金属化层还包括第三金属特征，所述第三金属特征嵌入在所述电介质材料的与磁性材料的侧壁横向相邻的所述第二层内，并且其中，所述第三金属特征的侧壁具有比所述第二金属特征少的横向底切。

5.根据权利要求4所述的IC封装衬底，其中：

所述第二金属特征是嵌入在所述磁性材料内的多个第二金属特征中的一个；

所述第三金属特征是嵌入在电介质材料的所述第二层内的多个第三金属特征中的一个；并且

所述第二金属特征具有第一间距；

所述第三金属特征具有第二间距；并且

所述第二间距小于所述第一间距。

6.根据权利要求4所述的IC封装衬底，其中，所述第二金属特征具有比所述第三金属特征大的厚度。

7.根据权利要求1-2中的任一项所述的IC封装衬底，其中，所述第一侧壁具有比所述第二侧壁少的横向底切。

8.根据权利要求1-2中的任一项所述的IC封装衬底，其中，所述磁性材料的所述侧壁具有相对于所述金属化层的平面的至少45°的坡度。

9.根据权利要求1-2中的任一项所述的IC封装衬底，其中：

所述金属化层是上部金属化层；

所述衬底还包括下部金属化层；

所述下部金属化层包括在所述磁性材料的底部与所述电介质材料的所述第一层之间的下部金属特征；并且

所述下部金属特征具有的面积大于所述磁性材料的与所述下部金属特征接触的面积。

10.一种集成电路(IC)封装组件，包括：

电源，所述电源附接到主机电路板；

IC管芯，所述IC管芯通过嵌入在IC封装衬底内的电感器电耦合到所述主机电路板，其中，所述IC封装衬底还包括：

磁性材料，所述磁性材料嵌入在电介质材料内，其中，所述电介质材料的第一层在所述磁性材料下方；以及

金属化层，所述金属化层包括嵌入在所述磁性材料内的所述电感器的元件、以及在所述磁性材料和所述电介质材料的界面处的金属特征，所述金属特征具有与所述电介质材料的第二层接触的第一侧壁和与所述磁性材料接触的第二侧壁。

11.根据权利要求10所述的IC封装组件，其中，所述电感器具有平面架构，所述平面架构包括嵌入在所述磁性材料内的蛇形结构。

12.根据权利要求10-11中的任一项所述的IC封装组件，其中，所述金属特征完全包围所述电感器的所述元件，并且沿着所述磁性材料的周边延伸。

13.根据权利要求10-11中的任一项所述的IC封装，其中，所述金属化层包括多层材料堆叠体，所述多层材料堆叠体包括在第二金属上的第一金属，所述第二金属具有比所述第一金属高的磁导率。