[发明专利]微发光二极管显示面板及制备方法在审
申请号: | 202011471134.3 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112599552A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 韦冬;李庆;于波;顾杨 | 申请(专利权)人: | 苏州芯聚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/58 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 常伟 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种微发光二极管显示面板,其特征在于,所述微发光二极管显示面板包括:
衬底;
微发光二极管阵列,所述微发光二极管阵列设置于所述衬底一侧的表面上,所述微发光二极管真理中,任意相邻的微发光二极管之间具有隔离槽;
多个隔离柱,每一隔离柱位于对应的隔离槽中;以及
遮光结构,所述遮光结构形成于对应的隔离柱的顶面及侧面;
其中,所述顶面朝向所述微发光二极管的发光面,所述侧面围绕所述顶面设置。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述衬底上还包括低表面能功能层,所述低表面能功能层设置于所述微发光二极管阵列远离所述衬底一侧的表面上,所述低表面能功能层对应于所述隔离槽具有开槽,其中,所述隔离柱自所述开槽中突出所述衬底。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述低表面能功能层为选自二氧化硅功能层、氮化硅功能层或者氧化铝功能层。
4.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,通过图案化制程形成所述开槽。
5.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,所述开槽的尺寸小于所述隔离槽的尺寸。
6.一种微发光二极管显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
S1、提供衬底,所述衬底一侧的表面上包括微发光二极管阵列,所述微发光二极管阵列包括多个微发光二极管,任意两个微发光二极管之间设有隔离槽;
S2、于所述衬底上形成隔离层,所述隔离层覆盖所述微发光二极管阵列,图案化所述隔离层形成多个隔离柱,每一隔离柱位于对应的隔离槽中;以及
S3、形成遮光结构于所述多个隔离柱上,所述遮光结构覆盖所述隔离柱的顶面和侧面。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,S3形成遮光结构于所述多个隔离柱上还包括:
S31、形成遮光材料层于所述衬底上覆盖所述微发光二极管阵列和所述多个隔离柱;
S32、图案化所述遮光材料层,移除所述遮光材料层对应所述微发光二极管的部分,形成覆盖在隔离柱上的遮光结构。
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述S2中形成所述隔离层之间还包括:
于所述衬底上形成低表面能功能层,所述低表面能功能层覆盖所述微发光二极管阵列;以及
图案化所述低表面能功能层形成多个开槽,多个开槽与多个隔离槽一一对应。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述低表面能功能层为选自二氧化硅功能层、氮化硅功能层或者氧化铝功能层。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述S3中还包括:
形成遮光材料层于所述衬底上,且覆盖所述低表面能功能层和所述多个隔离柱;以及
加热固化,所述遮光材料朝向所述隔离柱聚集形成覆盖在所述隔离柱上的遮光结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的