[发明专利]微发光二极管显示面板及制备方法

说明书

本发明揭示了一种微发光二极管显示面板及制作方法，所述微发光二极管显示面板包括：衬底；微发光二极管阵列，所述微发光二极管阵列设置于所述衬底一侧的表面上，所述微发光二极管真理中，任意相邻的微发光二极管之间具有隔离槽；多个隔离柱，每一隔离柱位于对应的隔离槽中；以及遮光结构，所述遮光结构形成于对应的隔离柱的顶面及侧面；其中，所述顶面朝向所述微发光二极管的发光面，所述侧面围绕所述顶面设置。

技术领域

本发明涉及一种微发光二极管的显示面板及制备方法。

背景技术

微发光二极管显示面板(Micro Light Emitting Diode Display,μLED)是一种将微发光二极管作为显示器的光发射组件的新世代显示面板。此技术是将LED薄膜化、微小化、数组化至单一LED，尺寸仅在1～10μm等级，再将μLED批量式移转至电路基板上，进行表面粘着后，与电路基板上的电极与晶体管、上电极、保护层等等共同构成微发光二极管显示器所需的μLED面板。

目前，微发光二极管(Micro LED)显示面板的彩色化一般包括：在显示面板的一个像素内放置R、G、B三颗不同颜色的Micro LED芯片；或者，在显示面板的一个像素内放置内放置三颗蓝色Micro LED芯片，对其中两颗蓝色Micro LED芯片上设置R、G量子点层进行色彩转化，从而实现Micro LED显示面板的彩色化显示。

另外，像素结构还包括遮光结构，遮光结构设置于任意两个Micro LED芯片之间，用于避免像素结构中光串扰。由于Micro LED芯片和/或量子层本身的厚都厚，同时任意两个Micro LED芯片间的Gap比较小，因此，需要遮光结构必须是又高又窄的结构。

现有形成遮光结构的方式是在基板上设计一层较厚的光刻胶，然后通过曝光、显影的方式获得。由于光刻胶的吸光性，导致曝光制程中，光线不能到达光刻胶的底部，因此，容易造成光刻胶蚀刻不完全，不易获得又高又窄遮光结构。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微发光二极管显示面板及其制作方法，采用隔离柱和遮光结构相结合的方式，克服现有微发光二极管显示面板制程工艺不能获得又高又窄遮光结构的问题。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种微发光二极管显示面板，所述微发光二极管显示面板包括：衬底；微发光二极管阵列，所述微发光二极管阵列设置于所述衬底一侧的表面上，所述微发光二极管真理中，任意相邻的微发光二极管之间具有隔离槽；多个隔离柱，每一隔离柱位于对应的隔离槽中；以及遮光结构，所述遮光结构形成于对应的隔离柱的顶面及侧面；其中，所述顶面朝向所述微发光二极管的发光面，所述侧面围绕所述顶面设置。

作为可选的技术方案，所述衬底上还包括低表面能功能层，所述低表面能功能层设置于所述微发光二极管阵列远离所述衬底一侧的表面上，所述低表面能功能层对应于所述隔离槽具有开槽，其中，所述隔离柱自所述开槽中突出所述衬底。

作为可选的技术方案，所述低表面能功能层为选自二氧化硅功能层、氮化硅功能层或者氧化铝功能层。

作为可选的技术方案，通过图案化制程形成所述开槽。

作为可选的技术方案，所述开槽的尺寸小于所述隔离槽的尺寸。

本发明还提供一种微发光二极管显示面板的制作方法，所述制作方法包括：

S1、提供衬底，所述衬底一侧的表面上包括微发光二极管阵列，所述微发光二极管阵列包括多个微发光二极管，任意两个微发光二极管之间设有隔离槽；

S2、于所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述微发光二极管阵列，图案化所述隔离层形成多个隔离柱，每一隔离柱位于对应的隔离槽中；以及

S3、形成遮光结构于所述多个隔离柱上，所述遮光结构覆盖所述隔离柱的顶面和侧面。