[发明专利]一种晶圆上镀银添加剂的制备方法在审
申请号: | 202011472019.8 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112593263A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 涂利彬;肖广源 | 申请(专利权)人: | 上海华友金裕微电子有限公司 |
主分类号: | C25D3/46 | 分类号: | C25D3/46;C25D7/12 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 201700 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆上 镀银 添加剂 制备 方法 | ||
本发明公开了一种晶圆上镀银添加剂的制备方法,该制备方法包括以下步骤:准备原料、取适量的二甲基海因,按质量比在搅拌槽中加入纯水进行搅拌;按质量比加入一定量的表面活性剂、充分搅拌;搅拌好的溶液经过滤芯进行过滤,得到低温镀银添加剂;对低温镀银添加剂成品进行封装储藏;本发明中晶圆上镀银添加剂的制备方法,该制备方法避免了镀银使用过程中分解的气体对人体伤害,达到环保要求,本添加剂使用方便,可在10‑30℃正常电镀,工艺简单,反应稳定,生产效率高,配完电镀液就可以进行电镀,本产品电镀出的制品在空气中不发生氧化,本产品电镀出的制品纯镀高、结晶细。
技术领域
本发明涉及缓冲罐技术领域,具体为一种晶圆上镀银添加剂的制备方法。
背景技术
晶圆上镀银添加剂技术广泛应用于IC集成电路电镀中,与普通镀银技术相比,晶圆上镀银添加剂技术腐蚀性低,废水处理简单等特点,是当前世界各国致力于推广及使用的绿色环保电镀银体系;普通镀银技术应用于精度不高的连接器电镀方面。
目前,普通镀银技术对设备有腐蚀现象,在生产过程中会分解为有毒气体,对操作人员身体有伤害。
因此迫切的需要一种晶圆上镀银添加剂的制备方法来解决上述不足之处。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种晶圆上镀银添加剂的制备方法,解决了现有的普通镀银技术对设备有腐蚀现象,在生产过程中会分解为有毒气体,对操作人员身体有伤害的问题。
本发明提供如下技术方案:一种晶圆上镀银添加剂的制备方法,该制备方法包括以下步骤:
步骤一、准备原料、取适量的二甲基海因,按质量比在搅拌槽中加入纯水进行搅拌;
步骤二、按质量比加入一定量的表面活性剂、充分搅拌;
步骤三、搅拌好的溶液经过滤芯进行过滤,得到低温镀银添加剂;
步骤四、对低温镀银添加剂成品进行封装储藏。
优选的,所述步骤二搅拌过程中溶液的温度控制在10-30℃,搅拌时间为2-4小时。
优选的,该所述表面活性剂的主要成分为聚乙二醇。
优选的,步骤三中使用过滤机进行过滤,且该过滤机的滤芯精度为1-10um。
优选的,所述二甲基海因与聚乙二醇的质量比为10-30%:3-5%,且按比例加入余量的纯水。
优选的,该所述低温镀银添加剂可在10-30℃正常电镀。
与现有技术对比,本发明具备以下有益效果:该晶圆上镀银添加剂的制备方法,该制备方法避免了镀银使用过程中分解的气体对人体伤害,达到环保要求,本添加剂使用方便,可在10-30℃正常电镀,工艺简单,反应稳定,生产效率高,配完电镀液就可以进行电镀,本产品电镀出的制品在空气中不发生氧化,本产品电镀出的制品纯镀高、结晶细。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种晶圆上镀银添加剂的制备方法,该制备方法包括以下步骤:
步骤一、准备原料、取适量的二甲基海因,按质量比在搅拌槽中加入纯水进行搅拌;
步骤二、按质量比加入一定量的表面活性剂、充分搅拌;
步骤三、搅拌好的溶液经过滤芯进行过滤,得到低温镀银添加剂;
步骤四、对低温镀银添加剂成品进行封装储藏。
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