[发明专利]执行晶片边缘修整工艺的方法在审
申请号: | 202011472741.1 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN113001314A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 吴铭栋;周东和;匡训冲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24B49/12;B24B41/06;H01L21/68;H01L21/268;H01L21/304 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 执行 晶片 边缘 修整 工艺 方法 | ||
1.一种执行晶片边缘修整工艺的方法,包括:
使用耦合到隐形激光设备的红外相机在晶片上方对准所述隐形激光设备;
使用所述隐形激光设备在所述晶片内形成隐形损坏区,所述隐形损坏区在所述晶片周围连续连接且将所述晶片的内部区与所述晶片的外部区分离,其中所述隐形损坏区布置在水平地距所述晶片的边缘的第一距离处,其中所述隐形损坏区竖直地掩埋在所述晶片的顶部表面下方,且其中所述隐形损坏区从所述晶片的所述顶部表面下方的第一深度延伸到所述晶片的所述顶部表面下方的第二深度;
在所述晶片中形成凹槽以将所述晶片的所述外部区与所述内部区分离,其中所述凹槽从所述晶片的所述顶部表面延伸到所述晶片的底部表面;
使用刀片移除所述晶片的所述外部区;以及
使用研磨设备移除所述晶片的所述内部区的顶部部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011472741.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:稳定的改性聚合物多元醇分散体
- 下一篇:集成芯片及其形成方法