[发明专利]执行晶片边缘修整工艺的方法在审

专利信息
申请号: 202011472741.1 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN113001314A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 吴铭栋;周东和;匡训冲 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B24B9/06 分类号: B24B9/06;B24B49/12;B24B41/06;H01L21/68;H01L21/268;H01L21/304
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 执行 晶片 边缘 修整 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种执行晶片边缘修整工艺的方法,包括:

使用耦合到隐形激光设备的红外相机在晶片上方对准所述隐形激光设备;

使用所述隐形激光设备在所述晶片内形成隐形损坏区,所述隐形损坏区在所述晶片周围连续连接且将所述晶片的内部区与所述晶片的外部区分离,其中所述隐形损坏区布置在水平地距所述晶片的边缘的第一距离处,其中所述隐形损坏区竖直地掩埋在所述晶片的顶部表面下方,且其中所述隐形损坏区从所述晶片的所述顶部表面下方的第一深度延伸到所述晶片的所述顶部表面下方的第二深度;

在所述晶片中形成凹槽以将所述晶片的所述外部区与所述内部区分离,其中所述凹槽从所述晶片的所述顶部表面延伸到所述晶片的底部表面;

使用刀片移除所述晶片的所述外部区;以及

使用研磨设备移除所述晶片的所述内部区的顶部部分。

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