[发明专利]执行晶片边缘修整工艺的方法

说明书

在一些实施例中，本公开涉及一种执行晶片边缘修整工艺的方法，所述方法包含使用耦合到隐形激光设备的红外相机在晶片上方对准隐形激光设备。使用隐形激光设备在晶片内形成隐形损坏区，所述隐形损坏区在晶片周围连续连接且将晶片的内部区与外部区分离。隐形损坏区也布置在距晶片的边缘的第一距离处且从晶片的顶部表面下方的第一深度延伸到第二深度。另外，所述方法包含在晶片中形成凹槽以将晶片的外部区与内部区分离。使用刀片移除晶片的外部区，且使用研磨设备移除晶片的内部区的顶部部分。

技术领域

本发明实施例是有关于一种执行晶片边缘修整工艺的方法。

背景技术

半导体装置制造为用于产生存在于日常电子装置中的集成电路的工艺。制造工艺为光刻和化学处理步骤的多个步骤序列，在此期间在由半导体材料构成的晶片上逐渐产生电子电路。在第一晶片上制造集成电路之后，第一晶片可接合到第二晶片。晶片边缘修整可用于在接合之后移除和/或防止对第一晶片和第二晶片的损坏。

发明内容

本发明实施例提供一种用于晶片边缘修整工艺的方法，其包括：使用耦合到隐形激光设备的红外相机在晶片上方对准所述隐形激光设备；使用所述隐形激光设备在所述晶片内形成隐形损坏区，所述隐形损坏区在所述晶片周围连续连接且将所述晶片的内部区与所述晶片的外部区分离，其中所述隐形损坏区布置在水平地距所述晶片的边缘的第一距离处，其中所述隐形损坏区竖直地掩埋在所述晶片的顶部表面下方，且其中所述隐形损坏区从所述晶片的所述顶部表面下方的第一深度延伸到所述晶片的所述顶部表面下方的第二深度；在所述晶片中形成凹槽以将所述晶片的所述外部区与所述内部区分离，其中所述凹槽从所述晶片的所述顶部表面延伸到所述晶片的底部表面；使用刀片移除所述晶片的所述外部区；以及使用研磨设备移除所述晶片的所述内部区的顶部部分。

本发明实施例提供一种一种方法，其包括：将第二晶片接合到第一晶片；在所述第二晶片上方对准隐形激光设备；使用所述隐形激光设备形成隐形损坏区，所述隐形损坏区将所述第二晶片的内部区与所述第二晶片的外部区分离，其中所述隐形损坏区布置在距所述第二晶片的外部周边的第一距离处，且其中所述隐形损坏区从所述第二晶片的顶部表面下方的第一深度延伸到所述第二晶片的所述顶部表面下方的第二深度；在所述第二晶片上方对准刀片；使用所述刀片移除所述第二晶片的所述外部区；以及移除所述第二晶片的所述内部区的顶部部分。

本发明实施例提供一种方法，其包括：将第二晶片接合到第一晶片；移除所述第二晶片的初始顶部部分；在所述第二晶片上方对准隐形激光设备；使用所述隐形激光设备在所述第二晶片的顶部表面与底部表面之间形成隐形损坏区，所述隐形损坏区将所述第二晶片的内部区与所述第二晶片的外部区分离；在所述第二晶片上方对准刀片；使用所述刀片移除所述第二晶片的所述外部区；以及移除所述第二晶片的所述内部区的顶部部分。

附图说明

结合附图阅读以下详细描述会最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1C示出布置在第一晶片上方且接合到第一晶片的第二晶片的一些实施例的各种视图，其中第二晶片具有比第一晶片更小的直径和厚度。

图2示出配置成移除第二晶片的外部区的晶片修整设备的一些实施例的横截面视图，所述晶片修整设备包括红外相机、隐形激光设备以及刀片。

图3到图14B示出移除第二晶片的外部区的方法的一些实施例的各种视图，其中第二晶片接合到第一晶片，且使用隐形激光设备以减轻对第一晶片和第二晶片的损坏。

图15示出对应于图3到图14B的方法的一些实施例的流程图。

图16和图17示出方法的一些额外实施例的横截面视图，所述方法在移除第二晶片的外部区之前移除第二晶片的初始顶部部分，其中使用隐形激光设备以减轻对第一晶片和第二晶片的损坏。

图18示出对应于图16和图17的方法的一些额外实施例的流程图。