[发明专利]一种形成优质底层的独特的氧化镁配料工艺在审
申请号: | 202011474882.7 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112657811A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 严九江 | 申请(专利权)人: | 海安华诚新材料有限公司 |
主分类号: | B05D7/14 | 分类号: | B05D7/14;B05D3/02;B05D3/10;C21D1/26;C21D1/68;C21D9/52 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 丁桂红 |
地址: | 226600 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 形成 优质 底层 独特 氧化镁 配料 工艺 | ||
本发明涉及氧化镁配料工艺技术领域,且公开了一种形成优质底层的独特的氧化镁配料工艺,包括如下步骤:S1、脱脂将冷轧后的硅钢卷转至脱脂机组进行脱脂处理,经脱脂设备进行刷洗脱脂;S2、水洗使用温水对脱脂后的硅钢带进行水洗。该种形成优质底层的独特的氧化镁配料工艺,通过氧化镁配料制取的硅酸镁玻璃膜底层除了具有防止钢卷在高温退火过程中产生粘带、硬度高、绝缘性好、与钢带结合牢固等现有技术效果外,还能提高膜底层的质量,改善涂层的活性,使层间绝缘电阻和绝缘涂层附着性较高,磁性更好,使该种氧化镁配料工艺具备氧化镁的纯度、活性、粒度、附着性、涂料时的水化性和涂布量均优使之在高温退火过程中可以形成良好的硅酸镁底层。
技术领域
本发明涉及氧化镁配料工艺技术领域,具体为一种形成优质底层的独特的氧化镁配料工艺。
背景技术
氧化镁主要用于取向硅钢高温退火隔离剂,隔离涂层对于取向硅钢性能具有显著的影响,高温退火升温到约900℃时,氧化镁与钢带表面二氧化硅氧化膜起化学反应,形成硅酸镁底层,良好的硅酸镁底层是取向硅钢表面绝缘涂层的重要组成部分。
通过资料显示特种氧化镁与取向硅钢表面二氧化硅的反应温度为900-950℃,而高温退火过程中气氛条件和升温制度对氧化镁与二氧化硅的反应性能有较大影响,际生产过程中,往往由于涂氧化镁的成分和工艺控制不当,而在随后的高温退火过程中,不能形成良好的硅酸镁底层,经后续的酸洗和涂敷绝缘层后涂层附着性变差,导致磷酸盐涂层不能形成均匀--致的表层和良好的绝缘性能,甚至造成表面露出硅钢片基体的现象(称之为“露晶”),其绝缘电阻为零,严重影响了成品质量,因此,取向硅钢对氧化镁有一系列特殊要求,包括氧化镁的纯度、活性、粒度、附着性、涂料时的水化性和涂布量等均对玻璃膜质量有较大的影响。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种形成优质底层的独特的氧化镁配料工艺,具备氧化镁的纯度、活性、粒度、附着性、涂料时的水化性和涂布量均优使之在高温退火过程中可以形成良好的硅酸镁底层的优点,解决了由于涂氧化镁的成分和工艺控制不当在高温退火过程中,不能形成良好的硅酸镁底层的问题。
本发明提供如下技术方案:一种形成优质底层的独特的氧化镁配料工艺,包括如下步骤:
S1、脱脂
将冷轧后的硅钢卷转至脱脂机组进行脱脂处理,经脱脂设备进行刷洗脱脂;
S2、清除脱脂剂
使用温水对脱脂后的硅钢带进行水洗,将钢带表面上的脱脂剂清除;
S3、对钢带干燥
水洗后的钢带放入烘干炉烘干,烘干温度为50~70℃;
S4、氧化镁涂层
利用氧化镁对钢带在烘干后进入涂层机进行氧化镁涂层,将氧化镁均匀涂在钢带的表面,单面涂料量为5~8g/m;
S5、烘干涂层
涂层后的钢带通过天然气烘干炉烘干,炉内温度为360℃;
S6、收取钢带
将涂层液烘干后的钢带经收卷机卷齐收集。
优选的,所述乳化液脱脂剂的浓度为3%~7%,脱脂剂温度为40~70℃,脱脂时机组速度为20~60m/min,所述脱脂剂为专用的乳化液脱脂剂。
优选的,所述步骤S4中的氧化镁配料成分为质量浓度大于0.2Kg/L的轻质氧化镁、平均粒径为50nm且氧化镁重量含量大于99.9%的纳米氧化镁、硼酸、二氧化锑、二氧化钛和去离子水。
优选的,所述二氧化钛为锐钛型二氧化钛,二氧化钛的重量含量大于98%、水溶物小于0.5%。
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