[发明专利]存储器器件的控制电路在审
申请号: | 202011476130.4 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN114388028A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 杨秀丽;孔路平;程宽;万和舟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司;台积电(中国)有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C7/10;G11C7/12;G11C7/22 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 朱亦林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 器件 控制电路 | ||
1.一种电路,包括:
跟踪字线;
电源开关,耦合在所述跟踪字线和第一节点之间,所述电源开关被配置为响应于通过所述跟踪字线发送到所述电源开关的时钟脉冲信号而使所述第一节点上的电压电平放电;
跟踪位线,耦合在所述第一节点和存储器阵列中的多个跟踪单元之间;以及
感测电路,耦合在所述第一节点和第二节点之间,所述感测电路被配置为响应于所述第一节点上的电压电平低于所述感测电路的阈值电压值而生成负位线使能信号。
2.根据权利要求1所述的电路,还包括:
反相器,与所述感测电路相耦合,用于将所述负位线使能信号转换为负位线触发信号,其中,所述负位线触发信号被发送到写入辅助电路,所述写入辅助电路由所述负位线触发信号触发而将位线电压或补码位线电压下拉至瞬态负电压电平。
3.根据权利要求1所述的电路,其中,所述感测电路包括施密特触发器,所述感测电路的阈值电压值是所述施密特触发器的低阈值电压值,所述施密特触发器响应于所述第一节点上的电压电平向下越过所述施密特触发器的低阈值电压值而生成所述负位线使能信号。
4.根据权利要求1所述的电路,其中,所述跟踪字线包括串联连接的第一线段、第二线段和第三线段,所述第一线段和所述第三线段彼此平行,所述第一线段的长度基本上等于所述存储器阵列的宽度的一半,并且所述第三线段的长度基本上等于所述存储器阵列的宽度的一半。
5.根据权利要求1所述的电路,其中,与所述跟踪位线相耦合的所述跟踪单元的数量基本上等于所述存储器阵列中的单元行的数量。
6.根据权利要求1所述的电路,其中,所述电源开关包括第一导电类型的第一晶体管以及第二导电类型的多个第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极端子一起耦合到所述跟踪字线。
7.根据权利要求6所述的电路,其中,所述电源开关中的所述第二晶体管的数量基本上等于位于从所述存储器阵列中的位单元到接地端子的放电路径上的晶体管的数量。
8.一种半导体器件,包括:
写入驱动器,被配置为向存储器阵列提供位线电压和补码位线电压;
写入辅助电路,与所述写入驱动器相耦合,所述写入辅助电路被配置为响应于负位线触发信号而将位线或补码位线上的一个电压电平下拉至瞬态负电压电平;以及
时序控制电路,与所述写入辅助电路相耦合,其中,所述时序控制电路包括与所述存储器阵列中的字线上的第一延迟有关的跟踪字线以及与所述存储器阵列中的位线上的第二延迟有关的跟踪位线,所述时序控制电路被配置为参考所述第一延迟和所述第二延迟,响应于时钟脉冲信号而生成所述负位线触发信号。
9.根据权利要求8所述的器件,其中,所述写入辅助电路包括:
晶体管开关,耦合在接地端子和至所述写入驱动器的输出节点之间;
延迟单元;以及
电容器,耦合在所述延迟单元和所述输出节点之间,所述电容器被配置为响应于所述负位线触发信号的下降沿而将所述输出节点的电压电平耦合至瞬态负电压电平。
10.一种用于形成半导体器件的方法,包括:
通过跟踪字线发送时钟脉冲信号;
响应于所述时钟脉冲信号而使第一节点上的电压电平放电,所述第一节点耦合到跟踪位线;
响应于所述第一节点上的电压电平低于感测电路的阈值电压值而生成负位线使能信号;以及
根据所述负位线使能信号生成负位线触发信号。
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