[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层以及图形化光刻胶；

以所述图形化光刻胶为掩膜，采用湿法刻蚀对所述栅金属层进行刻蚀，以形成栅极过渡图案，所述栅极过渡图案包括未被所述图案化光刻胶覆盖的具有坡面的边缘区域；其中，所述有源层未被栅极过渡图案覆盖的区域为第一掺杂区，被所述边缘区域覆盖的区域为第二掺杂区；

以所述栅极过渡金属图案为掩膜，对所述有源层进行第一次离子注入，以对所述第一掺杂区和所述第二掺杂区进行掺杂；

以所述图案化光刻胶为掩膜，采用干法刻蚀对所述栅极过渡图案进行刻蚀，以去除所述边缘区域形成栅极；

以所述栅极为掩膜，对所述有源层进行第二次离子注入，以在所述第一掺杂区形成重掺杂源漏区，且在第二掺杂区形成轻掺杂源漏区。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用硝酸、磷酸和醋酸混合物作为湿法刻蚀剂进行湿刻；所述坡面与所述栅绝缘层形成的坡角大于等于10°，小于等于50°。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述栅金属层的厚度为200nm至500nm，所述重掺杂源漏区的边缘至由所述栅极覆盖的所述有源层的边缘最小距离小于1μm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一次离子注入的加速电压为50KV至80KV，剂量为10¹⁴cm^-2至10¹⁵cm^-2。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二次离子注入的加速电压为加速电压50至80KV，剂量为10¹³cm^-2至5×10¹³cm^-2。

6.根据权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括去除所述图形化光刻胶的步骤。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用灰化去除所述图形化光刻胶，所述灰化采用氧气和/或六氟化硫气体，处理时间为60s-150s。

8.一种薄膜晶体管，包括设置于基底上的有源层、栅绝缘层和栅极，其特征在于，所述有源层包括沟道区和重掺杂源漏区，以及位于所述沟道区与重掺杂源漏区之间的轻掺杂源漏区；在所述轻掺杂源漏区中，从靠近所述重掺杂源漏区的部分至靠近所述沟道区的部分的掺杂浓度逐渐降低。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求8所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。