[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置

说明书

本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示设备，由于制备过程中先采用湿法刻蚀栅极金属层形成包括具有坡面的边缘区域的栅极过渡图案，利用栅极过渡图案进行第一次离子注入掺杂后再通过干法刻蚀去除坡面，然后再执行第二次离子注入掺杂形成重掺杂源漏区和轻掺杂源漏区，避免了现有技术中仅依靠图案化光刻胶进行重掺杂源漏区和轻掺杂源漏区制备，而图案化光刻胶存在曝光偏差导致的沟道两侧轻掺杂源漏区宽度不一致，进而薄膜晶体管的电学特性不良的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)为有源阵列型平面显示器常用的有源元件(active element)，用来驱动有源式液晶显示器(active matrix type liquidcrystal display)、有源式有机电激发光显示器(active matrix type organicelectroluminescent display)、影像传感器等装置。

为了避免热载流子效应，需要对薄膜晶体管的有源层进行掺杂处理，形成重掺杂源漏区(source/drain Doping，SD Doping)和轻掺杂源漏区(Light Doped Drain，LDDDoping)。

目前，在制备薄膜晶体管时，重掺杂源漏区和轻掺杂源漏区是分别在不同的曝光制程中完成的，会存在曝光偏差(Overlay)的问题，导致位于沟道两侧的轻掺杂源漏区的宽度不一致，导致薄膜晶体管的电学特性不良，直接影响产品的可靠性和良品率。

发明内容

基于此，根据本申请的一个方面，提供了一种薄膜晶体管的制备方法，能够精确的控制有源层的轻掺杂源漏区宽度。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在基底上依次形成有源层、栅绝缘层、栅金属层以及图形化光刻胶；

以所述图形化光刻胶为掩膜，采用湿法刻蚀对所述栅金属层进行刻蚀，以形成栅极过渡图案，所述栅极过渡图案包括未被所述图案化光刻胶覆盖的具有坡面的边缘区域；其中，所述有源层未被栅极过渡图案覆盖的区域为第一掺杂区，被所述边缘区域覆盖的区域为第二掺杂区；

以所述栅极过渡金属图案为掩膜，对所述有源层进行第一次离子注入，以对所述第一掺杂区和所述第二掺杂区进行掺杂；

以所述图案化光刻胶为掩膜，采用干法刻蚀对所述栅极过渡图案进行刻蚀，以去除所述边缘区域形成栅极；

以所述栅极为掩膜，对所述有源层进行第二次离子注入，以在所述第一掺杂区形成重掺杂源漏区，且在第二掺杂区形成轻掺杂源漏区。

进一步，采用硝酸、磷酸和醋酸混合物作为湿法刻蚀剂进行湿刻；所述坡面与所述栅绝缘层形成的坡角大于等于10°，小于等于50°。

进一步，所述栅金属层的厚度为200nm至500nm，所述重掺杂源漏区的边缘至由所述栅极覆盖的所述有源层的边缘最小距离小于1μm。

进一步，所述第一次离子注入的加速电压为50KV至80KV，剂量为10¹⁴cm^-2至10¹⁵cm^-2。

进一步，所述第二次离子注入的加速电压为加速电压50至80KV，剂量为10¹³cm^-2至5×10¹³cm^-2。

进一步，还包括去除所述图形化光刻胶的步骤。