[发明专利]一种功率半导体模块防静电的电极保护结构在审
| 申请号： | 202011477029.0 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112582351A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/48;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 静电 电极 保护 结构 | ||
1.一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，包括用于容纳功率半导体模块的外壳，其特征在于：所述外壳上设置有用于将栅极端子包围在内部的保护壳体，保护壳体在与栅极端子的端部对应的位置设置有开口。
2.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述保护壳体与外壳为一体成型的结构。
3.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述保护壳体通过胶粘的方式与外壳固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述保护壳体的底部两侧设置有安装板，所述外壳上配合安装板设置有安装槽，所述安装板的底部设置有卡板，卡板的底部设置有卡凸，所述外壳上配合卡凸设置有卡槽。
5.根据权利要求4所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述外壳的表面与安装板的表面相平齐。
6.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述保护壳体内嵌设有加强内衬件。
7.根据权利要求6所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述加强内衬件整体为L形。
8.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述外壳上设置有盖板，外壳与盖板之间形成用于安装功率半导体模块的安装空间。
9.根据权利要求1所述的一种功率半导体模块防静电的电极保护结构，其特征在于：所述保护壳体的开口与栅极端子的端部相平齐。
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