[发明专利]一种硅片处理设备

权利要求书

1.一种硅片处理设备，其特征在于，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；

所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；

所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。

2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部和所述加热部可转动连接。

3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部和所述加热部通过转轴可转动连接，所述电磁控制器用于驱动所述搅拌部绕所述转轴自转。

4.根据权利要求3所述的硅片处理设备，其特征在于，所述搅拌部在垂直于所述转轴的方向上的横截面的至少部分与所述加热部在垂直于所述转轴的方向上的横截面不重叠。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部的密度小于反应槽中液体的密度，所述搅拌部的密度大于反应槽中液体的密度，所述搅拌加热转子的平均密度等于或大于反应槽中液体的密度。

6.根据权利要求3所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部包括向远离所述转轴方向延伸的加热部主体，所述加热部还包括设置于所述加热部主体上的散热片，所述散热片沿所述转轴的方向延伸。

7.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述加热部环绕所述搅拌部设置。

8.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，还包括用于屏蔽所述电磁控制器产生的电磁场的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层至少具有位于所述电磁控制器和所述反应槽之间的多个工作位置，且在不同工作位置时，所述金属屏蔽层对于所述电磁控制器和所述搅拌加热转子之间的遮挡面积不同。

9.根据权利要求8所述的硅片处理设备，其特征在于，所述金属屏蔽层上开设有通孔，所述通孔的形状和尺寸与所述搅拌部的形状和尺寸相匹配。

10.根据权利要求8所述的硅片处理设备，其特征在于，所述金属屏蔽层和所述反应槽之间设置有隔热层。