[发明专利]一种硅片处理设备

说明书

本发明提供一种硅片处理设备。硅片处理设备包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；电磁控制器设置于反应槽外侧，搅拌加热转子设置于反应槽内，搅拌加热转子的位置对应电磁控制器设置，以通过电磁控制器控制搅拌加热转子；搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，搅拌部包括永磁体，加热部包括金属材料。本发明通过设置电磁控制器和搅拌加热转子，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的搅拌部相配合，实现对于反应槽中反应液的搅拌，通过电磁控制器与搅拌加热转子的加热部相配合，实现对于反应槽中反应液的加热，有助于提高对于反应槽中反应液加热的均匀程度，通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能，也有助于降低设备的成本。

技术领域

本发明涉及半导体加工检测技术领域，尤其涉及一种硅片处理设备。

背景技术

硅片生产加工过程中的多个步骤中，均需要利用刻蚀工艺对硅片进行处理。相关技术中，通常利用加热管对刻蚀液进行加热，加热较为不均匀，可能影响对于硅片的处理效果。

发明内容

本发明实施例提供一种硅片处理设备，以解决现有硅片处理设备可能影响对于硅片的处理效果的问题。

本发明实施例提供了一种硅片处理设备，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；

所述电磁控制器设置于所述反应槽外侧，所述搅拌加热转子设置于所述反应槽内，且所述搅拌加热转子的位置对应所述电磁控制器设置，以通过所述电磁控制器控制所述搅拌加热转子；

所述搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，所述搅拌部包括永磁体，所述加热部包括金属材料。

在一些实施例中，所述搅拌部和所述加热部可转动连接。

在一些实施例中，所述搅拌部和所述加热部通过转轴可转动连接，所述电磁控制器用于驱动所述搅拌部绕所述转轴自转。

在一些实施例中，所述搅拌部在垂直于所述转轴的方向上的横截面的至少部分与所述加热部在垂直于所述转轴的方向上的横截面不重叠。

在一些实施例中，所述加热部的密度小于反应槽中液体的密度，所述搅拌部的密度大于反应槽中液体的密度，所述搅拌加热转子的平均密度等于或大于反应槽中液体的密度。

在一些实施例中，所述加热部包括向远离所述转轴方向延伸的加热部主体，所述加热部还包括设置于所述加热部主体上的散热片，所述散热片沿所述转轴的方向延伸。

在一些实施例中，所述加热部环绕所述搅拌部设置。

在一些实施例中，还包括用于屏蔽所述电磁控制器产生的电磁场的金属屏蔽层，所述金属屏蔽层至少具有位于所述电磁控制器和所述反应槽之间的多个工作位置，且在不同工作位置时，所述金属屏蔽层对于所述电磁控制器和所述搅拌加热转子之间的遮挡面积不同。

在一些实施例中，所述金属屏蔽层上开设有通孔，所述通孔的形状和尺寸与所述搅拌部的形状和尺寸相匹配。

在一些实施例中，所述金属屏蔽层和所述反应槽之间设置有隔热层。

本发明实施例中的硅片处理设备，包括反应槽、电磁控制器和搅拌加热转子；电磁控制器设置于反应槽外侧，搅拌加热转子设置于反应槽内，且搅拌加热转子的位置对应电磁控制器设置，以通过电磁控制器控制搅拌加热转子；搅拌加热转子包括搅拌部和加热部，搅拌部包括永磁体，加热部包括金属材料。本发明通过设置电磁控制器和搅拌加热转子，一方面，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的搅拌部相配合，实现对于反应槽中反应液的搅拌，另一方面，可以通过电磁控制器与搅拌加热转子的加热部相配合，实现对于反应槽中反应液的加热，这样，有助于提高对于反应槽中反应液加热的均匀程度，同时，通过一组设备同时实现加热和搅拌两个功能，降低了结构的复杂程度，也有助于降低设备的成本。

附图说明