[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，具有体区和漂移区，所述体区环绕形成于所述漂移区的外围，所述体区中形成有环绕所述漂移区的体接触区；

场氧层，形成于所述漂移区中，且所述场氧层在所述衬底中分隔出两个第一有源区和一第二有源区，所述第二有源区位于两个所述第一有源区之间；所述体接触区与所述第一有源区和所述第二有源区之间通过所述衬底中的浅沟槽隔离结构隔离，所述场氧层在垂直于所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两端与所述浅沟槽隔离结构接触；以及，

环形栅极层，形成于所述衬底上且环绕所述第二有源区，所述环形栅极层在所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两侧从所述体区经所述漂移区延伸至所述场氧层上，所述环形栅极层在垂直于所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两端位于所述浅沟槽隔离结构上且跨接所述体区和所述漂移区，以使得所述漂移区上的电场一部分终止到所述环形栅极层上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述第一有源区跨接所述体区和所述漂移区，所述第二有源区位于两个所述第一有源区之间的漂移区中，所述漂移区包围所述第一有源区和所述第二有源区之间的场氧层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一有源区中形成有源极区，且所述源极区位于所述体区中；在所述第二有源区中形成有漏极区。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述体区和所述体接触区为第一导电类型，所述漂移区、所述源极区和所述漏极区为第二导电类型；所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体区和所述漂移区之间接触或不接触。

6.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述场氧层为LOCOS、浅沟槽隔离结构或高温氧化层。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括CMOS元件或双极型元件。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，具有体区和漂移区，所述体区环绕形成于所述漂移区的外围；

形成场氧层于所述漂移区中以及形成浅沟槽隔离结构于所述衬底中，且所述场氧层在所述衬底中分隔出两个第一有源区和一第二有源区，所述第二有源区位于两个所述第一有源区之间；以及，

形成环形栅极层于所述衬底上，所述环形栅极层环绕所述第二有源区；

于所述体区中形成环绕所述漂移区的体接触区，所述体接触区与所述第一有源区和所述第二有源区之间通过所述浅沟槽隔离结构隔离，所述场氧层在垂直于所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两端与所述浅沟槽隔离结构接触；所述环形栅极层在所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两侧从所述体区经所述漂移区延伸至所述场氧层上，所述环形栅极层在垂直于所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两端位于所述浅沟槽隔离结构上且跨接所述体区和所述漂移区，以使得所述漂移区上的电场一部分终止到所述环形栅极层上。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，每个所述第一有源区跨接所述体区和所述漂移区，所述第二有源区位于两个所述第一有源区之间的漂移区中，所述漂移区包围所述第一有源区和所述第二有源区之间的场氧层。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第一有源区中形成源极区以及在所述第二有源区中形成漏极区，所述源极区位于所述体区中。

11.如权利要求8-10任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述场氧层为LOCOS、浅沟槽隔离结构或高温氧化层。