[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有体区和漂移区，体区环绕形成于漂移区的外围；场氧层，形成于漂移区中，且场氧层在衬底中分隔出两个第一有源区和一第二有源区，第二有源区位于两个第一有源区之间；以及，环形栅极层，形成于衬底上且环绕第二有源区，所述环形栅极层跨接覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分。本发明的技术方案可以利用单一的工艺，透过光掩膜图案的改变，不增加额外的步骤，兼容性较高，使得能够在不增加体区到漏极区之间的距离的同时，还能提高击穿电压。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

横向双扩散金属氧化物(LDMOS，lateral double-diffused MOS)是半导体工艺中广为使用的一种半导体器件，可提供较高的击穿电压，并且在操作时具有低的导通电阻。相比于互补金属氧化物半导体(CMOS)，LDMOS要承受更高的工作电压，因此，LDMOS中的隔离结构相比CMOS要求更高，不仅要考虑漏极区到源极区的击穿电压，也要考虑漏极区到体区的击穿电压，那么，就非常考验LDMOS的工艺制程和版图的优化。

其中，为了保证漏极区到体区的击穿电压大于漏极区到源极区的击穿电压，需要将体区到漏极区之间的距离增加到足够大，即增大体区和漏极区之间的浅沟槽隔离结构的宽度，但是，这样会浪费器件的面积，导致整个器件的尺寸增大或者器件中的其它功能区的尺寸减小，从而影响器件的性能。

因此，如何在不增加体区到漏极区之间的距离的同时，还能提高击穿电压是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，能够在不增加体区到漏极区之间的距离的同时，还能提高击穿电压。

为实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件，包括：

衬底，具有体区和漂移区，所述体区环绕形成于所述漂移区的外围；

场氧层，形成于所述漂移区中，且所述场氧层在所述衬底中分隔出两个第一有源区和一第二有源区，所述第二有源区位于两个所述第一有源区之间；以及，

环形栅极层，形成于所述衬底上且环绕所述第二有源区，所述环形栅极层跨接覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分。

可选地，每个所述第一有源区跨接所述体区和所述漂移区，所述第二有源区位于两个所述第一有源区之间的漂移区中，所述漂移区包围所述第一有源区和所述第二有源区之间的场氧层。

可选地，在所述第一有源区中形成有源极区，且所述源极区位于所述体区中；在所述第二有源区中形成有漏极区。

可选地，所述体区中形成有环绕所述漂移区的体接触区，且所述体接触区与所述第一有源区和所述第二有源区之间通过所述衬底中的浅沟槽隔离结构隔离，所述场氧层在垂直于所述第二有源区至所述第一有源区的方向上的两端与所述浅沟槽隔离结构接触。

可选地，所述体区和所述体接触区为第一导电类型，所述漂移区、所述源极区和所述漏极区为第二导电类型；所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，或者，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

可选地，所述体区和所述漂移区之间接触或不接触。

可选地，所述场氧层为LOCOS、浅沟槽隔离结构或高温氧化层。

可选地，还包括CMOS元件或双极型元件。

进一步地，本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一衬底，具有体区和漂移区，所述体区环绕形成于所述漂移区的外围；