[发明专利]半导体零部件、等离子体处理装置及形成复合涂层的方法在审

专利信息
申请号: 202011479293.8 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN114639584A 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 段蛟;孙祥;陈星建 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 徐雯琼;张妍
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 零部件 等离子体 处理 装置 形成 复合 涂层 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体零部件,其特征在于,包括:

零部件本体;

复合涂层,位于所述零部件本体的表面,包括交替设置的第一耐腐蚀涂层和第二耐腐蚀涂层,所述第一耐腐蚀涂层的晶粒尺寸大于第二耐腐蚀涂层的晶粒尺寸,所述复合涂层的最外层和与零部件本体接触的均为第一耐腐蚀涂层,所述第二耐腐蚀涂层用于抑制所述第一耐腐蚀涂层的晶粒生长尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体零部件,其特征在于,所述第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层的材料相同或者不同。

3.如权利要求2所述的半导体零部件,其特征在于,所述第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层为稀土元素与氧和氟形成的结晶复合化合物,所述稀土元素与氧和氟形成的结晶复合化合物包括:YOF,Y5O4F7,Y6O5F8,Y7O6F9,Y17O14F23,LaOF,CeOF,CeO6F2,PrOF,NdOF,SmOF,EuOF,Eu3O2F5,Eu5O4F7,GdOF,Gd5O4F7,TbOF,DyOF,HoOF,ErOF,Er3O2F5,Er5O4F7,TmOF,YbOF,Yb5O4F7,Yb6O5F8,LuOF,Lu3O2F5,Lu5O4F7或Lu7O6F9中的至少一种。

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