[发明专利]半导体零部件、等离子体处理装置及形成复合涂层的方法

说明书

一种半导体零部件、等离子体处理装置及形成复合涂层的方法，其中，半导体零部件包括：零部件本体；复合涂层，位于所述零部件本体的表面，包括交叠堆放的第一耐腐蚀涂层和第二耐腐蚀涂层，所述第一耐腐蚀涂层的晶粒尺寸大于第二耐腐蚀涂层的晶粒尺寸，所述第二耐腐蚀涂层用于抑制所述第一耐腐蚀涂层的晶粒生长尺寸。所述复合涂层的最外层和与零部件本体接触的均为第一耐腐蚀涂层，所述半导体零部件能够抵御等离子体的腐蚀，还能够降低颗粒污染。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体零部件、等离子体处理装置及在零部件本体表面形成复合涂层的方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。

在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF₄、O₂等)在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而刻蚀出具有特定结构的晶圆。

然而，在等离子体刻蚀工艺过程中，物理轰击及化学反应作用也会同样作用于刻蚀腔室内部所有与等离子体接触的半导体零部件，造成腐蚀，因此，业内迫切需要在零部件本体的表面制备一种性能优异的耐腐蚀涂层以抵御等离子体的腐蚀，且能够降低颗粒污染问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供了一种半导体零部件、等离子体处理装置及在零部件本体的表面形成复合涂层，以提高耐等离子体腐蚀的能力，且能够降低颗粒污染问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体零部件，包括：零部件本体；复合涂层，位于所述零部件本体的表面，包括交替设置的第一耐腐蚀涂层和第二耐腐蚀涂层，所述第一耐腐蚀涂层的晶粒尺寸大于第二耐腐蚀涂层的晶粒尺寸，所述复合涂层的最外层和与零部件本体接触的均为第一耐腐蚀涂层，所述第二耐腐蚀涂层用于抑制所述第一耐腐蚀涂层的晶粒生长尺寸。

可选的，所述第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层的材料相同或者不同。

可选的，所述第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层为稀土元素与氧和氟形成的结晶复合化合物，所述稀土元素与氧和氟形成的结晶复合化合物包括：YOF,Y₅O₄F₇,Y₆O₅F₈,Y₇O₆F₉,Y₁₇O₁₄F₂₃,LaOF,CeOF,CeO₆F₂,PrOF,NdOF,SmOF,EuOF,Eu₃O₂F₅,Eu₅O₄F₇,GdOF,Gd₅O₄F₇,TbOF,DyOF,HoOF,ErOF,Er₃O₂F₅,Er₅O₄F₇,TmOF,YbOF,Yb₅O₄F₇,Yb6O₅F₈,LuOF,Lu₃O₂F₅,Lu₅O₄F₇或Lu₇O₆F₉中的至少一种。