[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅基底，所述硅基底具有相对的第一面和第二面；

在所述第二面形成本征半导体层，所述第一面具有由所述本征半导体层的材料绕镀成的绕镀层；所述本征半导体层含有非晶半导体材料；

去除所述绕镀层，对所述本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述本征半导体层的形成温度小于或等于700℃。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述本征半导体层的工艺为低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述本征半导体层还含有多晶半导体材料、微晶半导体材料、纳米半导体材料中的一种或多种；和/或，

所述本征半导体层的材料为硅；和/或，

所述本征半导体层的厚度为20nm～500nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，去除所述绕镀层的工艺为链式单面去膜工艺，去除所述绕镀层的刻蚀剂为碱性溶液。

6.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第二面形成本征半导体层后，在去除所述绕镀层之前，所述太阳能电池的制作方法还包括：

在所述本征半导体层上形成水膜。

7.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对所述本征半导体层进行掺杂的方式为热扩散方式、离子注入方式或掺杂源涂布推进方式。

8.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第二面形成本征半导体层后，在去除所述绕镀层之前，所述太阳能电池的制作方法还包括：

在确保所述本征半导体层含有非晶半导体材料的情况下，在所述本征半导体层上形成氧化层。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述氧化层的温度小于或等于700℃。

10.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述第二面形成本征半导体层之前，所述太阳能电池的制作方法还包括：

在所述硅基底的第二面形成隧穿钝化层。

11.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在形成多晶掺杂半导体层后，所述太阳能电池的制作方法还包括：对所述硅基底进行边缘隔离。

12.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求1～11任一项所述的太阳能电池的制作方法制作而成。