[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，可以方便的去除制作钝化接触结构产生的绕镀层。该太阳能的制作方法包括：提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；在第二面形成本征半导体层，第一面具有由本征半导体层的材料绕镀成的绕镀层；本征半导体层含有非晶半导体材料；去除绕镀层，对本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。本发明提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

钝化接触太阳能电池主要是在太阳能电池的背面形成隧穿钝化层和掺杂多晶半导体层作为与金属电极的接触结构。

在制作钝化接触太阳能电池的掺杂多晶半导体层时，会在硅基底的另一面形成绕镀层，采用化学刻蚀去除该绕镀层。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，以方便的去除制作钝化接触结构产生的绕镀层。

第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能的制作方法包括：

提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；

在第二面形成本征半导体层，第一面具有由本征半导体层的材料绕镀成的绕镀层；本征半导体层含有非晶半导体材料；

去除绕镀层，对本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。

采用上述技术方案时，形成含有非晶半导体材料的本征半导体层之后，先去除绕镀层，再对本征半导体层进行掺杂和退火处理，形成多晶掺杂半导体层。此时，绕镀层是由本征半导体层的材料绕镀而成，绕镀层的材料与本征半导体层的材料相同。在这种情况下，绕镀层的材料含有本征非晶半导体材料。相对于多晶半导体材料，非晶半导体材料未被晶化，其与刻蚀剂反应速率更快。当去除绕镀层时，绕镀层可以较快的与刻蚀剂反应，缩短去除绕镀层的工艺时间，使得绕镀层可以较容易的被去除，从而提高太阳能电池的制作效率。并且，由于绕镀层能够较容易的去除，可以减少规模化生产过程中硅基底的第一面残留的绕镀层，从而可以降低由残留的绕镀层产生的寄生吸收的风险，提高太阳能电池的转换效率。可见，本发明的太阳能的制作方法可以提高制作效率和太阳能电池的转换效率。

此外，与掺杂非晶体材料相比，本征非晶半导体材料在未掺杂状态下，可以避免刻蚀速率过快，从而减少去除绕镀层过程对硅基底的第二面的损伤，较好的保留硅基底的第二面的本征半导体层，进一步提高太阳电池的性能。

在一些可能的实现方式中，上述本征半导体层的形成温度小于或等于700℃。该本征半导体层的形成温度低于非晶半导体材料的晶化温度。此时，可以在形成本征半导体层的过程中，使本征半导体层和绕镀层所含有的材料保持非晶状态，有效避免绕镀层所含有的非晶半导体材料晶化，使得绕镀层容易去除。

在一些可能的实现方式中，形成本征半导体层的工艺为低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。

在一些可能的实现方式中，上述本征半导体层还含有多晶半导体材料、微晶半导体材料、纳米半导体材料中的一种或多种。

在一些可能的实现方式中，上述本征半导体的材料为硅。硅不仅材料方便获得，成本较低，而且非晶硅相对于多晶硅容易刻蚀。当绕镀层的材料含有非晶硅时，绕镀层容易去除。

在一些可能的实现方式中，上述本征半导体层的厚度为20nm～500nm。

在一些可能的实现方式中，去除绕镀层的工艺为链式单面去膜工艺，去除绕镀层的刻蚀剂为碱性溶液。该链式单面去膜工艺，可以对位于硅基底的第二面的绕镀层进行单面去膜处理，从而在去除绕镀层的同时保留硅基底的第一面的本征半导体层。该碱性溶液可以为KOH、NaOH等碱金属溶液。