[发明专利]一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件

说明书

本发明涉及一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件，首先，在设有至少一个薄膜体声波滤波器的晶圆上设置多个金球凸点，得到键合晶圆，对所述键合晶圆进行切割，得到至少一个具有薄膜体声波滤波器的切割件，金球凸点的两端分别连接薄膜体声波滤波器的电极以及封装基板上的金属电极，实现薄膜体声波滤波器与封装基板之间的电气互联，然后，采用树脂材料对至少一个切割件进行封装固化，得到固化封装基板，并对所述固化封装基板进行切割，得到至少一个具有薄膜体声波滤波器的封装器件，封装过程简单，不需要采用多次光刻套刻及刻蚀，实现了封装器件的批量生产，效率高，成本低，提升薄膜体声波滤波器在民用领域的市场竞争力。

技术领域

本发明涉及薄膜体声波滤波器技术领域，尤其涉及一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件。

背景技术

薄膜体声波滤波器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR滤波器)是一种基于体声波理论并利用声学谐振实现电学选频的器件，通过薄膜体声波滤波器的电极间的压电薄膜在垂直于薄膜体声波滤波器的方向上进行谐振，以实现选频，且品质因数值高，其基本结构主要包括空气隙结构和反射阵型结构，其中，压电薄膜的材质为AlN或ZnO等。

薄膜体声波滤波器以高频化、高矩形系数、高耐功率、低损耗等优良特点，越来越广泛的应用在射频通信领域，随着通信系统与终端均向小型化方向发展，这就要求系统内的元器件具有小型化的特性，目前薄膜体声波滤波器的封装产品大多采用晶圆级封装(Wafer Level Package，简称WLP)技术，该封装过程主要为：在封装晶圆上制作空腔结构，进行硅深孔刻蚀，通过制作金属密封结构将器件晶圆和封装晶圆键合，减薄封装晶圆，进行硅深孔溅射电镀和电极制作，最后通过切割得到独立的具有薄膜体声波滤波器的封装器件。根据上述内容可知，晶圆级封装技术需要经过多次的光刻套刻及刻蚀才能得到具有薄膜体声波滤波器的封装器件，工艺过程较为复杂，导致生产周期长、生产成本较高等问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供了一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件。

本发明的一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法的技术方案如下：

在晶圆上的至少一个薄膜体声波滤波器的不同电极上分别设置金球凸点，得到键合晶圆，其中，多个金球凸点分布在每个薄膜体声波滤波器周边；

对所述键合晶圆进行切割，得到至少一个具有薄膜体声波滤波器的切割件；

将至少一个切割件的每个金球凸点的另一端分别与对应的金属电极进行固定，以使每个切割件的薄膜体声波滤波器分别位于对应的空腔内，其中，金属电极设置在封装基板上，空腔由切割件与所述封装基板合围形成；

在所述封装基板上，采用树脂材料对至少一个切割件进行封装固化，得到固化封装基板，并对所述固化封装基板进行切割，得到至少一个具有薄膜体声波滤波器的封装器件。

本发明的一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件的有益效果如下：

首先，在设有至少一个薄膜体声波滤波器的晶圆上设置多个金球凸点，得到键合晶圆，对所述键合晶圆进行切割，得到至少一个具有薄膜体声波滤波器的切割件，金球凸点的两端分别连接薄膜体声波滤波器的电极以及封装基板上的金属电极，实现薄膜体声波滤波器与封装基板之间的电气互联，然后，采用树脂材料对至少一个切割件进行封装固化，得到固化封装基板，并对所述固化封装基板进行切割，得到至少一个具有薄膜体声波滤波器的封装器件，封装过程简单，不需要采用多次光刻套刻及刻蚀，实现了封装器件的批量生产，效率高，成本低，提升薄膜体声波滤波器在民用领域的市场竞争力。

在上述方案的基础上，本发明的一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法还可以做如下改进。

进一步，所述在晶圆上的至少一个薄膜体声波滤波器的不同电极上分别设置金球凸点，包括：