[发明专利]管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置

权利要求书

1.一种管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值的方法，所述方法包括：

由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰；以及

由所述NAND控制器针对每个开放块，将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器DRAM中，用于对所述字线进行编程，以及/或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中，用于对所述超级页面进行编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的对所述字线进行编程包括：

由所述NAND控制器，基于高速缓存在所述DRAM中的所述字线的所述上一次写入数据选择种子；以及

由所述NAND控制器，使用所选择的种子对所述字线进行编程。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的由所述NAND控制器选择种子包括：

由所述NAND控制器，接收输入数据；

由所述NAND控制器，随机初始化来自NAND页面的种子；

由所述NAND控制器，利用新字线执行所述输入数据的第二加扰；

由所述NAND控制器，基于上一次写入字线确定每个所述开放块的阈值单元差电压；

由所述NAND控制器，确定与经过所述第一加扰的所述字线的所述上一次写入数据相关联的相邻NAND单元和与经过所述第二加扰的所述输入数据相关联的所述相邻NAND单元之间的单元差电压；

由所述NAND控制器，判定所述单元差电压是否满足所述阈值单元差电压；

由所述NAND控制器，响应于判定所述单元差电压不满足所述阈值单元差电压，随机生成另一种子；以及

由所述NAND控制器，响应于判定所述单元差电压满足所述阈值单元差电压，选择所述随机初始化的种子，并且利用所选择的所述随机初始化的种子更新所述字线的备用区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述的随机生成所述另一种子包括：

由所述NAND控制器，判定是否满足选择所述种子的迭代次数；

由所述NAND控制器，响应于判定不满足选择所述种子的所述迭代次数，随机生成所述另一种子，利用所述另一种子更新所述随机初始化的种子；以及

由所述NAND控制器，响应于判定满足选择所述种子的所述迭代次数，选择所述种子以更新所述字线的所述备用区域，并启动所述字线的编程。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述迭代次数取决于所述NAND控制器的性能。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的通过所述NAND控制器选择所述种子包括：

由所述NAND控制器，随机初始化来自NAND页面的种子；

由所述NAND控制器，利用所述新字线执行所述输入数据的所述第二加扰；

由所述NAND控制器，确定与经过所述第一加扰的所述字线的所述上一次写入数据相关联的每个相邻NAND单元和与经过所述第二加扰的所述输入数据相关联的每个相邻NAND单元之间的单元差电压；

由所述NAND控制器，选择与最小单元差电压相对应的种子用于所述字线的编程；以及

由所述NAND控制器，利用所选择的种子更新所述字线的所述备用区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的对所述超级页面进行编程包括：

由所述NAND控制器，将所述字线的所述上一次写入数据的所述超级页面高速缓存在所述DRAM中；

由所述NAND控制器，在主机写入缓冲器中创建多个超级页面；以及

由所述NAND控制器，对所述主机写入缓冲器中的所述多个超级页面进行重新排序，以确定完整的超级页面相对于所述DRAM中的所述字线的所述上一次写入数据的所述超级页面的期望的单元差电压。