[发明专利]管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置

说明书

本文的实施例公开了一种管理NAND存储器中数据加扰种子值的方法和装置。所述方法包括：由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰。所述方法还包括：由所述NAND控制器针对每个开放块，将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器(DRAM)中，用于对所述字线进行编程，以及/或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中，用于对所述超级页面进行编程。所述方法可以用于管理用于NAND页面加扰的种子值，这可以降低保持影响。结果，可以减少用于NAND单元的保持回收，这可以提高耐久性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月26日在印度知识产权局提交的印度专利申请No.202041022041的优先权，其公开内容通过整体引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种存储器系统，并且更具体地涉及管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值(下文中也称为种子)以改善数据保持的方法和装置。

背景技术

数据保持(data retention)是NAND存储器中的一种重要现象，它会使NAND单元中的阈值电压产生变化。在现有方法中，闪存转换层(FTL)执行定期巡读(patrol read)以识别由于保持(retention)而濒于具有不可恢复的错误的NAND单元并对其进行回收。FTL在编程之前累积完整字线的数据。通常，由于不同字线的相邻单元之间的较强电场，导致三维(3D)NAND具有横向电荷迁移的独特的电荷损失机制。当不同字线的相邻单元正在存储极限NAND单元阈值时，会产生较强的电场。如果电场很高，则数据保持率可能会增加。

图1是根据常规技术的描绘了页面数据在NAND单元中的分布的示例说明。为了在字线内实现不同NAND状态下的单元数目的均匀分布，使用用于加扰(scrambling)的随机种子对NAND页面数据进行加扰。FTL将种子存储在NAND页面的备用区域中，并且在从NAND读取页面之后，来自备用区域的种子用于对NAND页面进行解扰。在三级单元(TLC，Triple-levelCell)NAND中，存在八种状态，并且一条字线由三个页面组成。TLC NAND中的三个页面分别是下页面、中页面和上页面。逐位地将来自每个页面的数据组合并编码为特定状态。TLCNAND中的数据编码是NAND特定的，并且与如何完成感测(sense)有关。

已经提出了许多常规方法来回收濒于具有不可恢复的错误的NAND单元，以改善数据保持。这是通过使用随机种子对NAND页面中的数据进行加扰来实现的。随机种子对NAND页面中的数据进行加扰，以在字线内实现不同NAND状态下的单元数目的均匀分布，从而降低数据保持影响。但是，采用随机种子进行数据加扰以实现改善的保持影响的常规方法和装置的缺点在于，由于字线中的相邻单元的电压差，导致用于对NAND页面中的数据进行加扰的随机种子在某些情况下可能不合适。

因此，通过提供以下方法和装置可以有利地解决上述缺点或其他不足：该方法和装置管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值以改善数据保持和/或提供有用的可选方案。

发明内容

实施例提供了一种管理用于数据加扰的种子值以改善数据保持的方法和NAND存储器。

实施例管理用于NAND页面加扰的种子值，这可以降低保持影响。

因此，本文的实施例公开了一种管理用于在NAND存储器中进行数据加扰的种子值的方法。所述方法包括：由NAND控制器检测所述NAND存储器中的字线的数据的第一加扰；以及由所述NAND控制器针对每个开放块，将经过所述第一加扰的所述字线的上一次写入数据高速缓存在动态随机存取存储器(DRAM)中，用于对所述字线进行编程，以及/或者将所述字线的所述上一次写入数据的超级页面高速缓存在所述DRAM中，用于对所述超级页面进行编程。