[发明专利]一种真空蒸镀用基片温度控制装置在审
| 申请号： | 202011479788.0 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112626482A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 熊继光;赵志国;秦校军;肖平;赵东明;邬俊波;董超;刘家梁;王百月;冯笑丹;梁思超;王森;张杰 | 申请（专利权）人： | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/24;C23C14/50;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 100036 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 蒸镀用基片 温度 控制 装置 | ||
1.一种真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，包括水冷基板(11)以及开设在水冷基板(11)上的进水口(12)和出水口(13)，还包括辅助降温装置(15)，所述辅助降温装置(15)置于水冷基板(11)与电池基片(14)之间，所述辅助降温装置(15)通过连接管(16)与辅助冷却设备(17)相连，所述降温系统包括密闭设置的气囊(15)和填充在气囊(15)内部的可流动散热介质，所述降温系统与水冷基板(11)的底面和电池基片(14)贴合。
2.根据权利要求1所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述连接管(16)为不锈钢管道，所述辅助降温装置(15)为气囊。
3.根据权利要求1所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述辅助降温装置(15)内设置有支撑装置(153)，所述支撑装置竖向设置在辅助降温装置(15)中，在使用过程中，所述支撑装置(153)的顶部支撑在水冷板的下表面，所述支撑装置(153)的底部支撑在电池基片(14)的上表面。
4.根据权利要求3所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述支撑装置(153)为可伸缩立柱。
5.根据权利要求3所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述支撑装置(153)为弹簧。
6.根据权利要求1所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述辅助降温装置(15)为橡胶气囊(151)。
7.根据权利要求3所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述支撑装置(153)均匀分布在所述辅助降温装置(15)内，所述支撑装置(153)的两端连接辅助降温装置(15)上下两面。
8.根据权利要求1所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述辅助降温装置(15)的上表面能够完全贴合水冷基板(11)的底面。
9.根据权利要求1所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述流动散热介质为散热硅脂(152)，且辅助降温装置(15)内部无任何气体残留。
10.根据权利要求9所述的真空蒸镀用基片温度控制装置，其特征在于，所述辅助降温装置(15)的内部压力大于散热硅脂(152)的饱和蒸汽压。
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