[发明专利]检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法

权利要求书

1.一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，其特征在于，包括：

对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；

基于多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及

同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度；

所述同位素偏差值是基于下述公式得到的，

其中，[MD_n+H]⁺为含有n个氘代的化合物的质荷比，[MD_(n-1)+H+1]⁺为含有n-1个氘代的化合物的天然同位素质荷比，ID为所述同位素偏差值；

基于下述公式计算各所述氘代化合物的IME值，

其中，理论值为氘标记化合物理论质荷比，MDmax为氘标记化合物实测与理论值偏差最大质荷比，IME为仪器质量偏差值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测的检测条件为：

离子源：HESI-II离子源；

电离模式：正电离模式；

喷雾电压：3.5kV；

毛细管温度：250℃；

辅助气体加热器温度：400℃；

鞘气流速、辅助气流速和吹扫气分别为45Arb、10Arb和2Arb；

S-透镜射频电压：50V；

扫描模式：Full MS扫描模式；

分辨率：70000FWHM；以及

扫描范围m/z 250～370Da。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述质谱检测为流动注射进样。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述流动注射进样流速为10μL/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多张Full-MS质谱图为5-10张。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量允许偏差大于所述仪器质量偏差值，且小于所述同位素偏差值。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氘标记化合物同位素分布是基于FullMS质谱图中的氘标记化合物质谱峰强度得到的。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述丰度是基于下述公式得到的，

Atom％D＝∑(n·x_n)/n，

其中，Atom％D为氘标记化合物同位素丰度值，n为化合物氘标记数，x_n为氘标记化合物同位素分布百分比。