[发明专利]检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法

说明书

本发明公开了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。该方法包括：对氘代化合物进行Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full‑MS质谱图；基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。该方法采用Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

技术领域

本发明涉及分析化学领域，具体地，涉及检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。

背景技术

同位素稀释质谱法(Isotope dilution mass spectrometry，IDMS)通过使用稳定同位素标记化合物作为内标，减小了由于复杂提取净化、基质效应等因素对结果的影响，显著提高了检测结果的准确度和精密度。同位素内标化合物作为IDMS方法的内标试剂，同位素分布值直接影响检测结果的准确性。但是传统的同位素研究者更多关注丰度值，大多数商品同位素内标试剂仅标识丰度值，不提供同位素分布的信息。

常用的同位素分布与丰度检测方法有质谱法和核磁共振波谱法。测定金属元素稳定同位素组成主要用两种质谱方法，包括热电离质谱法和多接受电感耦合等离子体质谱法。13C/12C，18O/16O，2H/1H等气体同位素组成通常采用高分辨率同位素比值质谱仪。有机化合物同位素测定质谱技术包括气体同位素质谱检测技术、液相色谱-质谱联用技术和气相色谱-质谱联用技术。其中，气体同位素质谱法是传统的同位素丰度检测方法，但存在着不能检测同位素分布的缺陷。但此方法基于低分辨率质谱测量，受分辨率限制，无法分辨与分析物质荷比相近的杂质，可能会因为杂质干扰造成检测结果不准确；同时该方法需要联立方程组，标记同位素数越多方程组数越多，方程组求解复杂。

由此，氘标记化合物同位素分布与丰度的方法有待改进。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

因而，根据本发明的一个方面，本发明提供了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；基于多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。

根据本发明实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，采用Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

另外，根据本发明上述实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的实施例，所述Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测的检测条件为：离子源：HESI-II离子源；电离模式：正电离模式；喷雾电压：3.5kV；毛细管温度：250℃；辅助气体加热器温度：400℃；鞘气流速、辅助气流速和吹扫气分别为45、10、2(arbitraryunits，Arb)；S-透镜射频电压：50V；扫描模式：Full MS扫描模式；以及分辨率：70000(FWHM)；扫描范围m/z 250～370Da(根据被测物分子量确定合适的检测范围)。

根据本发明的实施例，所述质谱检测为流动注射进样。

根据本发明的实施例，所述流动注射进样流速为10μL/min。

根据本发明的实施例，所述多张谱图为5-10张。

根据本发明的实施例，所述同位素偏差值是基于下述公式得到的，