[发明专利]成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种成膜装置，使成膜材料隔着掩模在基板上成膜，其特征在于，

该成膜装置包括：

第1基板支承部，配置在腔室内，支承所述基板的第1边的周缘部；

第2基板支承部，配置在所述腔室内，支承与所述第1边相向的第2边的周缘部；

基板吸附部件，配置在所述腔室内的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方，用于吸附所述基板；

位置调整部件，用于进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位；以及

控制部，控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件的升降，

所述控制部控制所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的升降，以使所述第1基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，之后使所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，

在所述基板的吸附开始之前，在所述第1基板支承部与所述基板吸附部件的距离小于所述第2基板支承部与所述基板吸附部件的距离的状态下，所述位置调整部件进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述控制部通过使所述第1基板支承部相对于所述第2基板支承部上升而成为所述状态。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述控制部进行控制，以在所述基板吸附部件与所述基板之间的对位之后，使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部同时上升而使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

所述控制部进行控制，以在使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件之后，使所述第2基板支承部继续上升而使所述基板的所述第2边的周缘部吸附于所述基板吸附部件。

5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述控制部进行控制，以在所述基板吸附部件与所述基板之间的对位之后，使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部依次上升。

6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述位置调整部件基于对分别设置于所述基板吸附部件和所述基板的对准标记进行拍摄而得到的结果，进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位。

7.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述基板吸附部件是静电卡盘。

8.一种成膜方法，在成膜装置的腔室内，使成膜材料隔着掩模在基板的成膜面上成膜，其特征在于，

该成膜方法包括：

利用第1基板支承部对搬入到腔室内的所述基板的第1边的周缘部进行支承，并利用第2基板支承部对所述基板的与所述第1边相向的第2边的周缘部进行支承的工序；

吸附工序，使配置在所述腔室内的所述第1基板支承部和所述第2基板支承部的上方的基板吸附部件吸附所述基板的与所述成膜面相反侧的面；

对位工序，进行所述基板吸附部件与所述基板之间的对位；以及

使成膜材料隔着所述掩模在所述基板的所述成膜面上成膜的工序，

所述吸附工序包括：第1上升工序，使所述第1基板支承部朝向所述基板吸附部件上升；以及第2上升工序，在所述第1上升工序开始后使所述第2基板支承部朝向所述基板吸附部件上升，

在所述基板的吸附开始之前，在所述第1基板支承部与所述基板吸附部件的距离小于所述第2基板支承部与所述基板吸附部件的距离的状态下，进行所述对位工序。

9.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

通过使所述第1基板支承部相对于所述第2基板支承部上升而成为所述状态。

10.根据权利要求8所述的成膜方法，其特征在于，

所述吸附工序包括在所述对位工序之后使所述第1基板支承部和所述第2基板支承部同时上升而使所述基板的所述第1边的周缘部吸附于所述基板吸附部件的工序。