[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底，所述衬底包括导电结构，所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的第一屏蔽端子；

电子组件，所述电子组件处于所述导电结构的所述顶侧上；

封装体，所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧；

屏蔽件，所述屏蔽件处于所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上；以及

屏蔽互连件，所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述导电结构的所述第一屏蔽端子。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述屏蔽件包括第一屏蔽层和在所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括介电结构，所述介电结构耦接到所述导电结构。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述介电结构包括所述封装体的一部分作为连续材料。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述介电结构与所述封装体分开。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述屏蔽件在所述封装体的侧面处接触所述封装体中的凹槽。

7.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一屏蔽层在所述封装体的侧面处包括脊和脊突出部，并且所述第二屏蔽层处于所述封装体的所述侧面处的所述脊突出部上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电结构包括支撑杆，并且所述第一屏蔽端子处于所述支撑杆上。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电结构包括具有分隔杆的支撑杆，并且所述第一屏蔽端子处于所述分隔杆上。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述屏蔽互连件包括接线。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电结构包括与所述电子组件相邻的桨片，所述第一屏蔽端子处于所述桨片上并且所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述桨片。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述导电结构包括与所述电子组件相邻的桨片；

所述第一屏蔽端子处于所述导电结构的支撑杆或引线中的一个上；

第二屏蔽端子处于所述桨片上；并且

所述屏蔽互连件耦接到所述第一屏蔽端子、所述第二屏蔽端子和所述屏蔽件。

13.一种方法，其包括：

提供衬底，所述衬底包括介电结构和导电结构，所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的屏蔽端子；

在所述导电结构的所述顶侧上提供电子组件；

提供封装体，所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧；

在所述封装体中提供通孔，所述通孔是从所述封装体的顶侧到所述屏蔽端子；以及

在所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上提供屏蔽件，其中所述屏蔽件在所述通孔中包含将所述屏蔽件连接到所述导电结构的所述屏蔽端子的屏蔽互连件。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述封装体的所述顶侧和所述封装体的侧表面上提供所述屏蔽件之前，在所述封装体中提供通孔以暴露所述屏蔽端子。

15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述封装体的所述顶侧和所述封装体的侧表面上提供所述屏蔽件之前，在所述封装体上提供晶种层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述提供屏蔽件包括在所述封装体的所述顶侧和所述封装体的侧表面上提供第一屏蔽层并且在所述第一屏蔽层上提供第二屏蔽层。