[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体结构或装置包括：衬底，所述衬底包括导电结构，所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的第一屏蔽端子；电子组件，所述电子组件处于所述导电结构的所述顶侧上；封装体，所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧；屏蔽件，所述屏蔽件处于所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上；以及屏蔽互连件，所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述导电结构的所述第一屏蔽端子。本文中还公开了其它实例和相关方法。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。

背景技术

现有的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不足的，例如，从而造成成本过多、可靠性降低、性能相对较低或封装大小太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参考附图，此类方法的另外的局限性和缺点将变得显而易见。

发明内容

本揭露的各种态样提供一种半导体结构，其包含：衬底，所述衬底包括导电结构，所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的第一屏蔽端子；电子组件，所述电子组件处于所述导电结构的所述顶侧上；封装体，所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧；屏蔽件，所述屏蔽件处于所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上；以及屏蔽互连件，所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述导电结构的所述第一屏蔽端子。在所述半导体结构中，所述屏蔽件包括第一屏蔽层和在所述第一屏蔽层上的第二屏蔽层。所述半导体结构进一步包括介电结构，所述介电结构耦接到所述导电结构。在所述半导体结构中，所述介电结构包括所述封装体的一部分作为连续材料。在所述半导体结构中，所述介电结构与所述封装体分开。在所述半导体结构中，所述屏蔽件在所述封装体的侧面处接触所述封装体中的凹槽。在所述半导体结构中，所述第一屏蔽层在所述封装体的侧面处包括脊和脊突出部，并且所述第二屏蔽层处于所述封装体的所述侧面处的所述脊突出部上。在所述半导体结构中，所述导电结构包括支撑杆，并且所述第一屏蔽端子处于所述支撑杆上。在所述半导体结构中，所述导电结构包括具有分隔杆的支撑杆，并且所述第一屏蔽端子处于所述分隔杆上。在所述半导体结构中，所述屏蔽互连件包括接线。在所述半导体结构中，所述导电结构包括与所述电子组件相邻的桨片，所述第一屏蔽端子处于所述桨片上并且所述屏蔽互连件将所述屏蔽件耦接到所述桨片。在所述半导体结构中，所述导电结构包括与所述电子组件相邻的桨片；所述第一屏蔽端子处于所述导电结构的支撑杆或引线中的一个上；第二屏蔽端子处于所述桨片上；并且所述屏蔽互连件耦接到所述第一屏蔽端子、所述第二屏蔽端子和所述屏蔽件。

本揭露的各种态样提供一种方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括介电结构和导电结构，所述导电结构具有顶侧和在所述导电结构的所述顶侧上的屏蔽端子；在所述导电结构的所述顶侧上提供电子组件；提供封装体，所述封装体处于所述导电结构的所述顶侧上并且接触所述电子组件的一侧；在所述封装体中提供通孔，所述通孔是从所述封装体的顶侧到所述屏蔽端子；以及在所述封装体的顶侧和所述封装体的侧面上提供屏蔽件，其中所述屏蔽件在所述通孔中包含将所述屏蔽件连接到所述导电结构的所述屏蔽端子的屏蔽互连件。所述方法进一步包括在所述封装体的所述顶侧和所述封装体的侧表面上提供所述屏蔽件之前，在所述封装体中提供通孔以暴露所述屏蔽端子。所述方法进一步包括在所述封装体的所述顶侧和所述封装体的侧表面上提供所述屏蔽件之前，在所述封装体上提供晶种层。在所述方法中，所述提供屏蔽件包括在所述封装体的所述顶侧和所述封装体的侧表面上提供第一屏蔽层并且在所述第一屏蔽层上提供第二屏蔽层。所述方法进一步包括在所述封装体中提供凹槽，所述凹槽处于所述封装体的所述侧面处，其中所述封装体在所述封装体的所述侧面处的所述屏蔽件下方暴露。