[发明专利]具有改善的静电放电保护的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

源极区，位于衬底中；

漏极区，位于所述衬底中且在侧向上与所述源极区间隔开；以及

栅极堆叠，位于所述衬底之上以及所述源极区与所述漏极区之间，

其中：

所述漏极区包括位于所述衬底中的具有第一掺杂类型的两个或更多个第一掺杂区；

所述漏极区包括位于所述衬底中的一个或多个第二掺杂区；

所述第一掺杂区具有比所述第二掺杂区高的第一掺杂类型掺杂剂的浓度；且

每一个第二掺杂区在侧向上设置在两个相邻的第一掺杂区之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二掺杂区具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述漏极区的宽度大于所述源极区的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

硅化物阻挡层，位于所述衬底之上，其中所述硅化物阻挡层从所述栅极堆叠连续地延伸以覆盖所述第一掺杂区中的至少一者以及所述第二掺杂区中的至少一者。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述第一掺杂区中的一者比所述第一掺杂区中的任何其他第一掺杂区与所述栅极堆叠间隔得更远；且

所述第一掺杂区中的所述一者的第一侧比所述硅化物阻挡层的侧壁与所述栅极堆叠间隔得更远。

6.一种半导体器件，包括：

阱区，位于半导体衬底中，其中所述阱区具有第一掺杂类型；

源极区，位于所述阱区中，其中所述源极区具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；

漏极区，位于所述阱区中且在侧向上与所述源极区间隔开，其中所述漏极区具有所述第二掺杂类型；以及

栅极电极，设置在所述半导体衬底之上以及所述源极区与所述漏极区之间，其中：

所述漏极区包括位于所述半导体衬底中的具有所述第二掺杂类型的第一数目个第一掺杂区；

所述漏极区包括位于所述半导体衬底中的第二数目个第二掺杂区；

所述第一数目是大于或等于二的任意整数；且

所述第二数目是等于所述第一数目减一的整数；

所述第一掺杂区具有比所述第二掺杂区高的第二掺杂类型掺杂剂的浓度；且

每一个第二掺杂区接触所述第一掺杂区中的两者。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

硅化物阻挡层，位于所述半导体衬底之上，其中所述硅化物阻挡层从所述栅极电极连续地延伸以覆盖所述第一数目减一个所述第一掺杂区。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述硅化物阻挡层部分地覆盖所述栅极电极的上表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

拾取区，设置在所述阱区中，其中所述拾取区具有所述第一掺杂类型且具有比所述阱区高的第一掺杂类型掺杂剂的浓度；以及

隔离结构，设置在所述阱区中，其中所述隔离结构的第一部分设置在所述源极区与所述拾取区之间，且其中所述源极区设置在所述隔离结构的所述第一部分与所述栅极电极之间。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上形成栅极堆叠；

在所述半导体衬底中及在所述栅极堆叠的第一侧上形成源极区；

在所述半导体衬底中及在所述栅极堆叠的与所述第一侧相对的第二侧上形成漏极区，其中形成所述漏极区包括：

在所述半导体衬底之上形成图案化掩蔽层，其中所述图案化掩蔽层包括设置在所述栅极堆叠的所述第二侧上的多个开口；以及

通过所述图案化掩蔽层的所述多个开口向所述半导体衬底中植入一种或多种掺杂剂种类；

形成至少部分地覆盖所述漏极区及所述栅极堆叠的硅化物阻挡层；以及

在所述硅化物阻挡层部分地覆盖所述漏极区及所述栅极堆叠的情况下，对所述半导体衬底执行硅化工艺。