[发明专利]宽带功率放大器及其构造方法

权利要求书

1.一种宽带功率放大器，其特征在于，包括米勒达灵顿电路和迭接电路；

所述米勒达灵顿电路包括第一氮化镓半导体开关和第二氮化镓半导体开关，所述迭接电路包括第三氮化镓半导体开关和第四氮化镓半导体开关；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端用于连接信号输入设备，所述第一氮化镓半导体开关的第二端与所述第三氮化镓半导体开关的第二端相连，所述第一氮化镓半导体开关的第二端还用于连接信号输出设备，所述第一氮化镓半导体开关的第三端同时与所述第二氮化镓半导体开关的第一端、所述第二氮化镓半导体开关的第二端相连；

所述第三氮化镓半导体开关的第三端与所述第四氮化镓半导体开关的第二端相连；

所述第四氮化镓半导体开关的第一端与所述第一氮化镓半导体开关的第三端相连。

2.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第一电阻、第一电容和第一电感；

所述第二氮化镓半导体开关的第一端通过所述第一电阻与所述第二氮化镓半导体开关的第二端相连；

所述第二氮化镓半导体开关的第二端通过串联的所述第一电容、所述第一电感与所述第四氮化镓半导体开关的第一端相连；

其中，所述第二氮化镓半导体开关的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述第一电感的第一端相连，所述第一电感的第二端与所述第四氮化镓半导体开关的第一端相连。

3.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第二电容和第二电阻；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端还通过串联的所述第二电容和所述第二电阻与所述第一氮化镓半导体开关的第二端相连；

其中，第一氮化镓半导体开关的第一端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一氮化镓半导体开关的第二端相连。

4.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第三电容和第二电感；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端用于通过串联的所述第三电容和所述第二电感，连接所述信号输入设备；

其中，所述第一氮化镓半导体开关的第一端与所述第二电感的第一端相连，所述第二电感的第二端与所述第三电容的第一端相连，所述第三电容的第二端用于连接所述信号输入设备。

5.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第三电阻；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端用于通过所述第三电阻连接第一外部电源。

6.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第四电容；

所述第一氮化镓半导体开关的第二端用于通过所述第四电容连接所述信号输出设备。

7.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第四电阻和第五电容；

所述第三氮化镓半导体开关的第一端与所述第四电阻的第一端相连，所述第四电阻的第二端同时与所述第五电容的第一端、第二外部电源相连；

所述第五电容的第二端与地线相连。

8.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第五电阻、第六电阻、第六电容；

所述第四氮化镓半导体开关的第二端通过串联的所述第五电阻、所述第六电阻连接所述第四氮化镓半导体开关的第一端；

其中，所述第四氮化镓半导体开关的第二端与所述第五电阻的第一端相连，所述第五电阻的第二端与所述第六电容的第一端相连，所述第六电容的第二端同时与所述第四氮化镓半导体开关的第一端、所述第六电阻的第一端相连；

所述第六电阻的第二端用于连接所述第三外部电源。

9.根据权利要求1所述的宽带功率放大器，其特征在于，还包括第七电容和第三电感；

所述第三氮化镓半导体开关的第二端与所述第三电感的第一端相连，所述第三电感的第二端同时连接所述第七电容第一端、第四外部电源；

所述第七电容的第二端接地。

10.一种宽带功率放大器的构造方法，其特征在于，应用于权利要求1-9任一项所述的宽带功率放大器；所述方法包括：

基于氮化镓制程，构建所述宽带功率放大器电路；其中，所述宽带功率放大器使用迭接架构；

若检测到所述宽带功率放大器电路的仿真特性符合预设规格，采用单芯共面波导电路进行电路布局并仿真；其中，所述共面波导中皆使用空桥进行共地连结；

若所述宽带功率放大器电路的共面波导电磁模拟特性符合所述预设规格，并且，实际量测符合所述预设规格，则表示构造完成。