[发明专利]宽带功率放大器及其构造方法

说明书

本发明涉及氮化镓高载子迁移率晶体管技术领域，具体涉及一种宽带功率放大器及其构造方法，宽带功率放大器的米勒达灵顿电路包括第一和第二氮化镓半导体开关，迭接电路包括第三和第四氮化镓半导体开关；第一氮化镓半导体开关的第二端与第三氮化镓半导体开关的第二端相连，第一氮化镓半导体开关的第三端同时与第二氮化镓半导体开关的第一端、第二氮化镓半导体开关的第二端相连；第三氮化镓半导体开关的第三端与第四氮化镓半导体开关的第二端相连；第四氮化镓半导体开关的第一端与第一氮化镓半导体开关的第三端相连。迭接电路能够提高系统稳定性、高频小信号增益以及最大输出功率，此外第三氮化镓半导体开关可提供适当的输出阻抗以提升整体效率。

技术领域

本发明涉及氮化镓高载子迁移率晶体管技术领域，具体涉及一种宽带功率放大器及其构造方法。

背景技术

随着5G移动通信系统的快速推进，提高系统数据传输速率及信道容量已经成为了通信系统发展的首要目标。功率放大器是无线收发系统中的电路组件之一，功率放大器的能够对通信效果产生重要的影响。但是，目前功率放大器的稳定性并不高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种宽带功率放大器及其构造方法，以克服目前功率放大器的稳定性不高的问题。

为实现以上目的，本发明采用如下技术方案：

一种宽带功率放大器，包括米勒达灵顿电路和迭接电路；

所述米勒达灵顿电路包括第一氮化镓半导体开关和第二氮化镓半导体开关，所述迭接电路包括第三氮化镓半导体开关和第四氮化镓半导体开关；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端用于连接信号输入设备，所述第一氮化镓半导体开关的第二端与所述第三氮化镓半导体开关的第二端相连，所述第一氮化镓半导体开关的第二端还用于连接信号输出设备，所述第一氮化镓半导体开关的第三端同时与所述第二氮化镓半导体开关的第一端、所述第二氮化镓半导体开关的第二端相连；

所述第三氮化镓半导体开关的第三端与所述第四氮化镓半导体开关的第二端相连；

所述第四氮化镓半导体开关的第一端与所述第一氮化镓半导体开关的第三端相连。

进一步地，以上所述的宽带功率放大器，还包括第一电阻、第一电容和第一电感；

所述第二氮化镓半导体开关的第一端通过所述第一电阻与所述第二氮化镓半导体开关的第二端相连；

所述第二氮化镓半导体开关的第二端通过串联的所述第一电容、所述第一电感与所述第四氮化镓半导体开关的第一端相连；

其中，所述第二氮化镓半导体开关的第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述第一电感的第一端相连，所述第一电感的第二端与所述第四氮化镓半导体开关的第一端相连。

进一步地，以上所述的宽带功率放大器，还包括第二电容和第二电阻；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端还通过串联的所述第二电容和所述第二电阻与所述第一氮化镓半导体开关的第二端相连；

其中，第一氮化镓半导体开关的第一端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一氮化镓半导体开关的第二端相连。

进一步地，以上所述的宽带功率放大器，还包括第三电容和第二电感；

所述第一氮化镓半导体开关的第一端用于通过串联的所述第三电容和所述第二电感，连接所述信号输入设备；

其中，所述第一氮化镓半导体开关的第一端与所述第二电感的第一端相连，所述第二电感的第二端与所述第三电容的第一端相连，所述第三电容的第二端用于连接所述信号输入设备。

进一步地，以上所述的宽带功率放大器，还包括第三电阻；