[发明专利]炉管工艺的派工优化方法有效
申请号: | 202011486070.4 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112614795B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 王帝;陈旭;魏峥颖 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 炉管 工艺 优化 方法 | ||
1.一种炉管工艺的派工优化方法,用于对多个晶圆在进行炉管工艺时的派工方法进行优化,其特征在于,包括:
对所有晶圆按照机台允许存放的位置的不同进行分组;
采集和预测晶圆到达炉管站点的时间,参照晶圆生产等级,以先进先出的原则确定晶圆的派工顺序;
根据晶圆的分组信息,生成第一批次晶圆内的所有晶圆的派工方案,所有派工方案形成方案池;
根据派工顺序依次生成每一批次晶圆的方案池,每一批次晶圆的方案池都基于上一批次的方案池所生成,当某一批次晶圆具有两种或两种以上相同的派工方案时,对相同的派工方案进行比较,保留优势派工方案,淘汰劣势派工方案,被淘汰的派工方案不能参与下一批次晶圆的方案池的形成;
对所有批次晶圆进行方案池生成和派工方案淘汰,最后保留一个派工方案;保留优势派工方案,淘汰劣势派工方案的方法包括:对每个派工方案的价值赋分,淘汰分数低的派工方案,对所述派工方案的价值赋分的项目包括:所述派工方案在单位时间内的产能;机台相邻位置是否放置同一工单的晶圆;高等级晶圆是否优先派。
2.如权利要求1所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,对所有晶圆按照机台允许存放的位置的不同进行分组的方法包括:
获取不同产品的晶圆在炉管站点的允许存放的位置;
按照允许存放的位置依次对工单内的晶圆进行标记;
将工单内标记一致的晶圆分为同一组。
3.如权利要求2所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,按照允许存放的位置依次对工单内的晶圆进行标记的方法包括:若能存放在机台某一位置的格子内,则标记为1,若不能存放在机台某一位置的格子内,则标记为0;依次判断完所有晶圆,以得到完整标记。
4.如权利要求3所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,每一个位置的格子最多能够放12片或13片晶圆。
5.如权利要求1所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,采集和预测晶圆到达炉管站点的时间,在考虑晶圆生产等级的基础上,以先进先出的原则确定组内晶圆的派工顺序的方法包括:
以炉管站点当站和炉管站点前几个站点的晶圆信息为基础,获取晶圆到达炉管站点时间;
考虑晶圆生产等级,以先进先出的原则确定派工顺序。
6.如权利要求5所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,以炉管站点当站和炉管站点前几个站点的晶圆信息为基础,获取晶圆到达炉管站点时间的方法包括:
对于炉管站点前几个站点的晶圆,依据历史数据中同一产品的晶圆在各站点作业时间的统计值,以求和的方式估算出该晶圆到达炉管站点的时间。
7.如权利要求6所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,参照晶圆生产等级的方法包括,对于高生产等级的晶圆,放入高生产等级的序列,对于一般等级的晶圆,放入一般等级的队列,所述高生产等级和所述一般等级均为发明人的设定的等级。
8.如权利要求1所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,根据晶圆的分组信息,生成第一批次晶圆内的所有晶圆的派工方案的方法包括:按照机台位置顺序挑选能用的晶圆,每个能用的晶圆组合成为一个派工方案,其中也包括机台位置空置的方案。
9.如权利要求1所述的炉管工艺的派工优化方法,其特征在于,下一批次晶圆的方案池的形成是基于上一批次晶圆的方案池所生成,在下一批次晶圆的方案池生成过程中,下一批次晶圆的派工方案不能和上一批次晶圆的派工方案选择同一片晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造