[发明专利]图像传感器的版图结构

权利要求书

1.一种图像传感器的版图结构，其特征在于，包括：

阱区，呈十字形以划分出4个子区域；

若干像素区域，每个所述像素区域包括4个沿所述像素区域的中心旋转对称的子像素区域，4个所述子像素区域分别位于一个所述子区域内，每个所述子像素区域呈凹字形且凹陷处为浅沟槽结构区域，所述浅沟槽结构区域将所述子像素区域分隔为光电二极管区域及晶体管区域，所述晶体管区域位于所述光电二极管区域的外围。

2.如权利要求1所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述阱区包括横向的第一阱区及竖向的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区交叉构成十字形，所述第一阱区的两端接触所述浅沟槽结构区域，所述第二阱区贯穿所述子像素区域。

3.如权利要求2所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述光电二极管区域的相邻两边与所述阱区接触。

4.如权利要求3所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述阱区的掺杂类型为P型掺杂或N型掺杂。

5.如权利要求1所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，竖向相邻的两个所述子像素区域的浅沟槽结构区域连通。

6.如权利要求1所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述浅沟槽结构区域将竖向相邻的两个所述晶体管区域隔开。

7.如权利要求1所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述晶体管区域与所述光电二极管区域连通。

8.如权利要求7所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述晶体管区域中形成有3个晶体管或4个晶体管，所述光电二极管区域中形成有一个光电二极管。

9.如权利要求8所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述晶体管区域中的其中一个所述晶体管与所述光电二极管连接。

10.如权利要求9所述的图像传感器的版图结构，其特征在于，所述晶体管为MOS管。