[发明专利]图像传感器的版图结构

说明书

本发明提供了一种图像传感器的版图结构，包括：阱区，呈十字形以划分出4个子区域；若干像素区域，每个所述像素区域包括4个沿所述像素区域的中心旋转对称的子像素区域，4个所述子像素区域分别位于一个所述子区域内，每个所述子像素区域呈凹字形且凹陷处为浅沟槽结构区域，所述浅沟槽结构区域将所述子像素区域分隔为光电二极管区域及晶体管区域，所述晶体管区域位于所述光电二极管区域的外围。本发明解决了现有技术中图像传感器的像素区域中的暗电流的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图像传感器的版图结构。

背景技术

图像传感器广泛应用于手机摄像、工业检测、安防等领域，而暗电流限制了图像传感器的光学性能，造成更大的噪声。光电二极管作为光电转换器件，可应用于图像传感器中，图像传感器的基本单元称为像素，一个像素由1个光电二极管和3个或4个晶体管构成，3个或4个晶体管称为3T管或4T管，简称为3T类型或4T类型的图像传感器。其中，光电二极管用于将光信号转换成相应的电流信号，而晶体管用于读取光电二极管转换的电流信号。

在现有技术中，图像传感器具有若干像素区域，每个像素区域具有若干子像素区域，暗电流主要的来源是子像素区域之间或子像素区域中的光电二极管区域与晶体管区域的浅沟槽隔离工艺引发缺陷，浅沟槽结构是对不同的子像素区域进行隔离以减少串扰，光电二极管区域与晶体管区域的浅沟槽结构是防止噪声干扰，若浅沟槽侧壁有缺陷会产生隔离问题导致暗电流，且使用浅沟槽结构的面积较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图像传感器的版图结构，以解决现有技术中图像传感器的像素区域中的暗电流的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种图像传感器的版图结构，包括：

阱区，呈十字形以划分出4个子区域；

若干像素区域，每个所述像素区域包括4个沿所述像素区域的中心旋转对称的子像素区域，4个所述子像素区域分别位于一个所述子区域内，每个所述子像素区域呈凹字形且凹陷处为浅沟槽结构区域，所述浅沟槽结构区域将所述子像素区域分隔为光电二极管区域及晶体管区域，所述晶体管区域位于所述光电二极管区域的外围。

可选的，所述阱区包括横向的第一阱区及竖向的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区交叉构成十字形，所述第一阱区的两端接触所述浅沟槽结构区域，所述第二阱区贯穿所述子像素区域。

可选的，所述光电二极管区域的相邻两边与所述阱区接触。

可选的，所述阱区的掺杂类型为P型掺杂或N型掺杂。

可选的，竖向相邻的两个所述子像素区域的浅沟槽结构区域连通。

可选的，所述浅沟槽结构区域将竖向相邻的两个所述晶体管区域隔开。

可选的，所述晶体管区域与所述光电二极管区域连通。

可选的，所述晶体管区域中形成有3个晶体管或4个晶体管，所述光电二极管区域中形成有一个光电二极管。

可选的，所述晶体管区域中的其中一个所述晶体管与所述光电二极管连接。

可选的，所述晶体管为MOS管。